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公开(公告)号：CN106252233A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610107907.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H03D7/16
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/785 , H03D7/16
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106252232A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610090342.6
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
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公开(公告)号：CN103199085B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
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公开(公告)号：CN102468346B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110089947.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
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公开(公告)号：CN102420216B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110060876.1
申请日：2011-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L29/0619 , H01L2223/6616 , H01L2223/6666 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种装置，其包括：基板，具有前表面和后表面；集成电路器件，在基板的前表面处；以及金属板，在基板的后表面上，其中，金属板与整个集成电路器件基本上重叠。保护环延伸到基板中并且环绕集成电路器件。保护环由导电材料形成。基板通孔(TSV)穿过基板并且电连接至金属板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101930983A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010201352.5
申请日：2010-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区，其具有一第一导电类型。一射极，其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，上述射极位于上述阱区上方。一集极，其具有上述第二导电类型，上述集极位于上述阱区上方，且大体上环绕上述射极。一基极接触，其具有上述第一导电类型，上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物，与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层，位于至少一上述导电条状物的正下方，且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益，并导致闪烁噪声的降低，另外可降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN116779613A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310089898.3
申请日：2023-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 半导体器件包括衬底。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有第一U形的至少部分的第一栅极区域。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有第二U形的沟道区域。该半导体器件包括延伸到衬底中并且具有井形的第二栅极区域。井形设置在第二U形之间，并且第二U形还设置在第一U形之间。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN107452737B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201610943990.1
申请日：2016-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
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公开(公告)号：CN106409892A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610555184.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/735 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/082
CPC classification number: H01L27/082 , H01L23/562 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/735
Abstract: 一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。
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公开(公告)号：CN106356363A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610008393.X
申请日：2016-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/642 , H01L23/645
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件。半导体器件包括密封环和吸声电路。在密封环和接地垫之间电连接吸声电路。吸声电路包括至少一个电容器和至少一个电感器以形成第一吸声路径、第二吸声路径和第三吸声路径。本发明实施例涉及半导体器件和半导体系统。
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