一种薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN104766893B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201510184202.0

    申请日:2015-04-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种薄膜晶体管,由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成,其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜,各层薄膜的厚度为:栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是:该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层,结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜,低温易制备等优点,既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力,同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力;其制备方法简单易行,有利于工业化应用。

    钙钛矿-纳米锗颗粒有机-无机复合太阳能电池的制备

    公开(公告)号:CN107240645B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710475223.7

    申请日:2017-06-21

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿‑纳米锗颗粒的有机‑无机复合太阳能电池制备方法,所述方法包括:在导电玻璃上制备二氧化钛电子传输层;通过PECVD法制备锗纳米颗粒;采用纳米锗颗粒‑甲基碘化铵‑氯化铅‑二甲基甲酰胺混合前驱液;采用超声喷涂法在电子传输层上制备钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层;在钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层上沉积P型有机导电层;在P型有机导电层上沉积金属电极层。嵌入到钙钛矿晶格网络的纳米锗颗粒可以拓展钙钛矿太阳电池的长波响应范围,同时被钙钛矿网络钝化的纳米锗颗粒可以为载流子的输运提供并联传输通道;超声喷涂法可以提高原材料的利用率,提高大面积均匀性,适合工业化生产的要求。

    电子束加热蒸发方法与装置及其用途

    公开(公告)号:CN101177777A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200710150785.0

    申请日:2007-12-06

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式,由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压,使之与接地坩埚间形成强电场;另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流,使灯丝热阴极发射电子束流;电子束束流在强电场作用下,高速轰击坩埚,将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜,制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良;用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时,膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

    一种混合维度复合钙钛矿薄膜及其制备方法和应用、光敏薄膜晶体管

    公开(公告)号:CN113130767A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110411942.9

    申请日:2021-04-16

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于光敏薄膜晶体管技术领域,特别涉及一种混合维度复合钙钛矿薄膜及其制备方法和应用、光敏薄膜晶体管。本发明提供了一种混合维度复合钙钛矿薄膜,包括层叠设置的三维有机无机杂化钙钛矿层和二维有机无机杂化钙钛矿层;三维有机无机杂化钙钛矿层的化学组成为:ABX3,A为有机胺阳离子,B为IVA族金属阳离子,X为卤素阴离子;二维有机无机杂化钙钛矿层的化学组成为:(PEA)2(MA)n‑1PbnI3n+1,n正整数。实施例表明,本发明提供的混合维度复合钙钛矿薄膜14天XRD图谱无变化,吸收光谱无变化,光电流无变化,环境稳定性高;以混合维度复合钙钛矿薄膜为有源沟道层得到的光敏薄膜晶体管光电性能优良。

    一种薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN104766893A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201510184202.0

    申请日:2015-04-17

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: H01L29/78696 H01L29/1033 H01L29/26 H01L29/66742

    Abstract: 一种薄膜晶体管,由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成,其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜,各层薄膜的厚度为:栅电极1μm、栅绝缘层200-400nm、有源沟道层200-300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是:该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层,结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜,低温易制备等优点,既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力,同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力;其制备方法简单易行,有利于工业化应用。

    一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法

    公开(公告)号:CN104465891A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410843070.3

    申请日:2014-12-30

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/186 H01L31/1864

    Abstract: 本发明提供了一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法,主要考虑到GaSb薄膜表面存在较大缺陷态的问题,在化学水浴法制备CdS过程中采用两步法进行制备,先通过高温和高搅拌速率让溶液中的硫离子渗透到GaSb表面,以实现CdS对GaSb的钝化作用,然后稍稍降低反应温度和搅拌速率进行后续的CdS沉积,并用退火工艺提高薄膜结晶质量。本发明中,化学水浴法制备过程中的硫离子具有钝化GaSb表面悬键的作用,能有效地降低GaSb薄膜的表面复合速率,而且该方法简单廉价,易于实施,可以使制备GaSb热光伏电池的成本低廉。

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