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公开(公告)号：CN101805915A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010150362.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种电镀金属Ga和Ga合金的溶液体系，由金属盐、导电盐、络合剂、有机酸、有机添加剂和溶剂水组成，各组份在溶液体系中的含量为：金属盐(0.05～0.5)mol/L、导电盐(1.0～4.0)mol/L、络合剂(0.1～0.8)mol/L、有机酸(0.5～3.0)mol/L、有机添加剂(4～20)g/L；该溶液体系用饱和浓度的碱性溶液调节pH值为1～6的范围内。本发明的优点是：该溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力、使用寿命长，制备的Ga薄膜光亮、均匀、无缺陷，金属薄膜的厚度和成份可通过控制沉积条件任意改变；且制备方法简单实用、设备投资小、成本低，适合于大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN100581995C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810053051.5
申请日：2008-05-09
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P20/128 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于硒化处理的高活性硒源的产生方法及装置和应用。本发明方法包括：将固态硒加热蒸发产生硒蒸汽；向上步产生的硒蒸汽中并入氢气，或氢气与氩气的混合气体；将上步混合气体进行等离子体辉光分解与合成，得到硒化氢及高活性的硒气氛。硒源产生装置包括一个密闭反应罐，反应罐内的固态硒源、阳极和阴极辉光电极、硒化氢反应腔，以及反应罐外的加热装置和激励电源，同时在反应罐侧壁上设有气体输入端口，反应罐顶部设有用气体输出端口。本发明既保留了固态硒低价无毒、容易运输和保存的优点，又可在硒化过程中在线制备硒化氢及高活性硒气氛，使之具有硒化氢的高活性硒源的特性，还可节省大量的硒原料，降低成本，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN107331615A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710511722.7
申请日：2017-06-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324
Abstract: 一种脉冲式快速热处理半导体薄膜表面的方法。表面处理是指在含S、Se、O、H等气氛中对半导体薄膜表面进行硫化、硒化、钝化或元素掺杂的过程。目的是提高半导体薄膜表面带隙，消除半导体薄膜表面悬挂键，钝化半导体薄膜表面缺陷，提高半导体薄膜导电能力。本发明提供的脉冲式快速热处理方法是在较低衬底温度下，采用高温或超高温度热处理半导体薄膜表面，处理温度500℃～1000℃，热处理时间60s以内。瞬间高温或超高温热处理可促进半导体薄膜表面化学反应发生，脉冲式快速热处理以及低衬底温度可实现半导体薄膜表面100nm厚度内的处理。
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公开(公告)号：CN102051603A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010518539.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。
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公开(公告)号：CN100575539C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200-600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300-500℃之间，铟源加热至400-1200℃之间，镓源加热至500-1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101245442A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052489.1
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。通过移动衬底或改变蒸发源位置，可提高薄膜的均匀性用以制备大面积半导体功能器件。
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公开(公告)号：CN101093863A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710057597.3
申请日：2007-06-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法，利用该发明制备的金属衬底ZnO杂质阻挡层和电绝缘层，适宜于柔性光伏电池。本发明利用纯锌靶或者ZnO陶瓷靶等靶材，通过溅射法在金属衬底上沉积ZnO薄膜，通过调整Ar和O2流量比来获得理想的ZnO薄膜，薄膜结构致密，作为杂质阻挡层对于金属衬底内的杂质具有很好的阻挡效果，作为电绝缘层具有良好的绝缘效果，用于制备柔性金属衬底电池及组件。
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公开(公告)号：CN102051603B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010518539.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体辅助硒硫化处理装置，设置于真空室内，包括壳体、阴极板和阳极板，阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器，阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽，阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为：1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层，然后放入阴极板的沟槽中；2)将其置于真空室内抽真空，打开电源加热阴极板和阳极板，启动等离子体发生器电源，并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点：硒原子的反应活性高，金属预制层的硒化反应完全，光电转换效率高；基片的加热温度低，不易变形；采用电子方式监控两电极间容抗的变化，了解转化的进展，减少工业化生产的废品率。
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公开(公告)号：CN107507874A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710664869.X
申请日：2017-08-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , C25D5/18 , C25D3/54
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022425 , C25D3/54 , C25D5/18 , H01L31/03923
Abstract: 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。
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公开(公告)号：CN102290484A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110106517.5
申请日：2011-04-27
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法，涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系，由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成，各组分在溶液体系的含量为：金属盐0.1～0.5mol/L、导电盐l～4mol/L、有机酸0.5～3mol/L、无机酸0.01～0.1mol/L，用饱和碱性溶液调节pH值到1～6.0。本发明的优点：溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力，使用寿命长，制备方法简单，投资设备小，适合大规模工业化生产，并且使用这种掺杂方法不仅可以使CIGS薄膜晶粒尺寸长大，而且可以有效的使不含Ga的CIS薄膜晶粒尺寸长大。适用于CuInS2、InGaAs等半导体材料。
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