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公开(公告)号：CN112786582A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011164681.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括：对标准单元进行布局；调整电源通路图案的尺寸，以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度；和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案，以对所述标准单元执行布线操作。
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公开(公告)号：CN112599519A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010976010.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 半导体器件可以包括在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面。每个所述标准单元可以包括半导体元件。所述半导体器件还可以包括位于两个标准单元之间的填充单元，并且每个所述填充单元可以包括填充有源区和连接到所述填充有源区且可以在所述第一方向上延伸的填充接触。所述半导体器件还可以包括电连接到至少一个所述半导体元件且可以在所述第二方向上延伸到至少一个所述填充单元中的下布线图案，并且所述填充接触可以包括低于所述下布线图案且连接到至少一个所述下布线图案的布线填充接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103576717B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310316370.1
申请日：2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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公开(公告)号：CN103576717A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310316370.1
申请日：2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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公开(公告)号：CN112786584B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011208930.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D89/10
Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。
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公开(公告)号：CN116894417A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310348186.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 提供了单元库和计算系统。所述单元库存储在计算机可读存储介质中。所述单元库被配置为存储：根据标准单元中包括的晶体管的阈值电压的所述标准单元的第一延迟信息；以及根据所述标准单元中包括的所述晶体管的迁移率的所述标准单元的第二延迟信息。
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公开(公告)号：CN112786584A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011208930.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。
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