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公开(公告)号：CN102998982B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210344606.8
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/00
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K19/00361 , Y10T307/461 , Y10T307/951
Abstract: 一种电源控制电路连接在电源电压与逻辑电路之间以切换供应给逻辑电路的电源。该电源控制电路包括：多个第一电源选通单元（PGC），其并行接收外部模式改变信号；至少一个第二PGC，其与一个第一PGC连接；至少一个第三PGC，其与该至少一个第二PGC连接；以及至少一个第四PGC，其与该至少一个第三PGC连接。第二电源选通单元、第三PGC、和/或第四PGC可以包括多个电源选通单元。第二、第三、和第四多个PGC的至少之一具有串联连接的电源选通单元。第一到第四PGC的每一个切换响应于模式改变信号而切换供应的电源。
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公开(公告)号：CN103207930A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310014808.0
申请日：2013-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5031 , G06F17/5045 , G06F2217/84 , H01L27/0207
Abstract: 在设计包括施加体偏置的无抽头标准单元的片上系统的方法中，调整慢角时序参数，以通过反映正向体偏置来增加片上系统的运行速度分布的慢角，以及调整快角时序参数，以通过反映反向体偏置来减小片上系统的运行速度分布的快角。基于对应于增加的慢角的调整的慢角时序参数和对应于减小的快角的调整的快角时序参数来实现包括无抽头标准单元的片上系统。慢角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最小值，并且快角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最大值。
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公开(公告)号：CN102998982A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210344606.8
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05B19/04
CPC classification number: H03K19/0016 , H03K19/00361 , Y10T307/461 , Y10T307/951
Abstract: 一种电源控制电路连接在电源电压与逻辑电路之间以切换供应给逻辑电路的电源。该电源控制电路包括：多个第一电源选通单元（PGC），其并行接收外部模式改变信号；至少一个第二PGC，其与一个第一PGC连接；至少一个第三PGC，其与该至少一个第二PGC连接；以及至少一个第四PGC，其与该至少一个第三PGC连接。第二电源选通单元、第三PGC、和/或第四PGC可以包括多个电源选通单元。第二、第三、和第四多个PGC的至少之一具有串联连接的电源选通单元。第一到第四PGC的每一个切换响应于模式改变信号而切换供应的电源。
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公开(公告)号：CN101661525A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170609.2
申请日：2009-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。
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公开(公告)号：CN108416077B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810018185.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供了设计集成电路的计算机实现的方法和计算系统。一种根据本发明构思的设计集成电路的计算机实现的方法可以由处理器执行并且可以包括：针对限定所述集成电路的标准单元执行布置和路由(P&R)操作；从所述P&R操作的结果提取特征值；通过基于所提取的特征值确定分别对应于多个组的多个代表性特征值来产生物理感知批注文件；以及基于所产生的物理感知批注文件执行物理感知合成操作以从所述集成电路的输入数据产生网表。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108460184A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810070832.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G05B19/4097 , G05B2219/45031 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号：CN103207930B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310014808.0
申请日：2013-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5031 , G06F17/5045 , G06F2217/84 , H01L27/0207
Abstract: 在设计包括施加体偏置的无抽头标准单元的片上系统的方法中，调整慢角时序参数，以通过反映正向体偏置来增加片上系统的运行速度分布的慢角，以及调整快角时序参数，以通过反映反向体偏置来减小片上系统的运行速度分布的快角。基于对应于增加的慢角的调整的慢角时序参数和对应于减小的快角的调整的快角时序参数来实现包括无抽头标准单元的片上系统。慢角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最小值，并且快角时序参数对应于片上系统的运行速度设计窗口的最大值。
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公开(公告)号：CN108460184B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810070832.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号：CN108416077A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810018185.7
申请日：2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 提供了设计集成电路的计算机实现的方法和计算系统。一种根据本发明构思的设计集成电路的计算机实现的方法可以由处理器执行并且可以包括：针对限定所述集成电路的标准单元执行布置和路由(P&R)操作；从所述P&R操作的结果提取特征值；通过基于所提取的特征值确定分别对应于多个组的多个代表性特征值来产生物理感知批注文件；以及基于所产生的物理感知批注文件执行物理感知合成操作以从所述集成电路的输入数据产生网表。
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公开(公告)号：CN103576717B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201310316370.1
申请日：2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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