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公开(公告)号:CN103576717B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201310316370.1
申请日:2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括:检测半导体器件的温度;当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作,在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节;以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时,激活热节流操作,在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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公开(公告)号:CN103576717A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310316370.1
申请日:2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括:检测半导体器件的温度;当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作,在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节;以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时,激活热节流操作,在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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