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发明公开
半导体装置及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN112786582A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011164681.7

申请日：2020-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁在完 , 金旴泰 , 金亨沃 , 朴尚度 , 西门浚

IPC: H01L27/02 , H01L23/50 , H01L23/52 , G11C5/02 , G11C5/06 , G11C5/14

Abstract: 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括：对标准单元进行布局；调整电源通路图案的尺寸，以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度；和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案，以对所述标准单元执行布线操作。

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