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公开(公告)号:CN112786582A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011164681.7
申请日:2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括:对标准单元进行布局;调整电源通路图案的尺寸,以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度;和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案,以对所述标准单元执行布线操作。
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公开(公告)号:CN111241769A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN201910811343.9
申请日:2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39 , G06F30/392
Abstract: 提供了生成集成电路设计的方法和系统。该方法包括接收定义了集成电路设计的输入单元的输入数据,从第一标准单元库中选择第一类型标准单元以表示具有第一特性的输入单元,从第二标准单元库中选择第二类型标准单元以表示具有第二特性的输入单元,第二特性不同于第一特性,并且通过对选择的第一类型标准单元和选择的第二类型标准单元执行布局和布线来产生表示集成电路设计的输出数据。第一标准单元库包括使用第一扩散中断方案制造的第一类型标准单元。第二标准单元库包括使用第二扩散中断方案制造的第二类型标准单元。第二类型标准单元中的每一个与第一类型标准单元中的相应一个具有相同的功能。
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公开(公告)号:CN108460184B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN201810070832.9
申请日:2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息,所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号:CN108416077A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810018185.7
申请日:2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 提供了设计集成电路的计算机实现的方法和计算系统。一种根据本发明构思的设计集成电路的计算机实现的方法可以由处理器执行并且可以包括:针对限定所述集成电路的标准单元执行布置和路由(P&R)操作;从所述P&R操作的结果提取特征值;通过基于所提取的特征值确定分别对应于多个组的多个代表性特征值来产生物理感知批注文件;以及基于所产生的物理感知批注文件执行物理感知合成操作以从所述集成电路的输入数据产生网表。
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公开(公告)号:CN103576717B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201310316370.1
申请日:2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括:检测半导体器件的温度;当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作,在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节;以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时,激活热节流操作,在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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公开(公告)号:CN103576717A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310316370.1
申请日:2013-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G06F1/3206 , G05D23/1919 , G06F1/20 , G06F1/324 , Y02D10/126
Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括:检测半导体器件的温度;当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作,在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节;以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时,激活热节流操作,在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。
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公开(公告)号:CN111241769B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN201910811343.9
申请日:2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39 , G06F30/392
Abstract: 提供了生成集成电路设计的方法和系统。该方法包括接收定义了集成电路设计的输入单元的输入数据,从第一标准单元库中选择第一类型标准单元以表示具有第一特性的输入单元,从第二标准单元库中选择第二类型标准单元以表示具有第二特性的输入单元,第二特性不同于第一特性,并且通过对选择的第一类型标准单元和选择的第二类型标准单元执行布局和布线来产生表示集成电路设计的输出数据。第一标准单元库包括使用第一扩散中断方案制造的第一类型标准单元。第二标准单元库包括使用第二扩散中断方案制造的第二类型标准单元。第二类型标准单元中的每一个与第一类型标准单元中的相应一个具有相同的功能。
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公开(公告)号:CN108416077B
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN201810018185.7
申请日:2018-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39
Abstract: 提供了设计集成电路的计算机实现的方法和计算系统。一种根据本发明构思的设计集成电路的计算机实现的方法可以由处理器执行并且可以包括:针对限定所述集成电路的标准单元执行布置和路由(P&R)操作;从所述P&R操作的结果提取特征值;通过基于所提取的特征值确定分别对应于多个组的多个代表性特征值来产生物理感知批注文件;以及基于所产生的物理感知批注文件执行物理感知合成操作以从所述集成电路的输入数据产生网表。
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公开(公告)号:CN108460184A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810070832.9
申请日:2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G05B19/4097 , G05B2219/45031 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息,所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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