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公开(公告)号：CN112086450A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010528595.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/3947
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。
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公开(公告)号：CN114078835A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110724796.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392
Abstract: 一种集成电路包括：第一列，包括被排列和放置在多个第一行中的多个第一单元，每个第一行具有第一宽度并在第一水平方向上延伸；第二列，包括被排列和放置在多个第二行中的多个第二单元，每个第二行具有第二宽度并在第一水平方向上延伸；以及接口列，在第一列和第二列之间在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸，其中接口列包括配置为向阱提供第一电源电压的至少一个阱抽头和配置为向衬底提供第二电源电压的至少一个衬底抽头。
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公开(公告)号：CN112599519A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010976010.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 半导体器件可以包括在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上布置的标准单元。所述第一方向和所述第二方向均可以平行于所述衬底的上表面。每个所述标准单元可以包括半导体元件。所述半导体器件还可以包括位于两个标准单元之间的填充单元，并且每个所述填充单元可以包括填充有源区和连接到所述填充有源区且可以在所述第一方向上延伸的填充接触。所述半导体器件还可以包括电连接到至少一个所述半导体元件且可以在所述第二方向上延伸到至少一个所述填充单元中的下布线图案，并且所述填充接触可以包括低于所述下布线图案且连接到至少一个所述下布线图案的布线填充接触。
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公开(公告)号：CN101661525B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN200910170609.2
申请日：2009-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。
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公开(公告)号：CN112086450B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010528595.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/3947
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：在衬底上的逻辑单元，逻辑单元包括在第一方向上间隔开的第一有源区域和第二有源区域；在第一和第二有源区域上并在第二方向上延伸的第一和第二有源图案；在第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极图案；栅电极，在第一方向上延伸以跨越第一和第二有源图案，并在第二方向上以第一节距排列；第一配线，在栅电极上的第一层间电介质层中并且每个电连接到第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案或栅电极；以及第二配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中，并在第一方向上彼此平行地延伸。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113889465A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110725035.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李奉炫
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F115/06
Abstract: 一种IC包括：多个第一单元，被放置在沿第一水平方向延伸的一系列第一行中，并且每一个第一行具有第一高度；以及多个第二单元，被放置在沿第一水平方向延伸的一系列第二行中，并且每一个第二行具有不同于第一高度的第二高度，其中，一系列第一行的总高度对应于多个第一单元当中具有最大高度的第一多高度单元的高度的倍数，并且一系列第二行的总高度对应于多个第二单元当中具有最大高度的第二多高度单元的高度的倍数。
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公开(公告)号：CN119677163A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257673.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种集成电路及其制造方法，该集成电路包括：多个第一栅电极，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，其中，所述多个第一栅电极在沿第一方向延伸的第一行中；第一有源图案组，包括在第一行中沿第一方向延伸并且与所述多个第一栅电极交叉的多个第一有源图案；多个第二栅电极，在沿第一方向延伸的第二行中沿第二方向延伸；以及第二有源图案组，包括在第二行中沿第一方向延伸并且与所述多个第二栅电极交叉的多个第二有源图案，其中，所述多个第一有源图案中的第一有源图案在第二方向上具有不同的宽度，所述多个第二有源图案在第二方向上具有第一宽度。
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公开(公告)号：CN107665268A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710628517.9
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , G06F2217/78 , G06F2217/82 , G06F2217/84
Abstract: 提供了通过考虑局部布局效应来设计集成电路(IC)的系统和方法。设计IC的方法可以放置预放置单元的实例以便减少局部布局效应(LLE)引起结构的发生。该方法可以从放置的每个实例的外围布局中提取实例的环境以估计实例的LLE，由此分析IC的性能。
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公开(公告)号：CN101661525A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170609.2
申请日：2009-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。
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