公开(公告)号：CN112786584B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202011208930.8

申请日：2020-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载勋 ,  西门浚 ,  李修亚 ,  金亨沃

IPC: H10D89/10

Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。

公开(公告)号：CN112786584A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011208930.8

申请日：2020-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载勋 ,  西门浚 ,  李修亚 ,  金亨沃

IPC: H01L27/02

Abstract: 半导体器件包括：标准单元，设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向交叉的第二方向上，每个标准单元包括有源区域、设置为与有源区域交叉的栅极结构、在栅极结构两侧在有源区域上的源极/漏极区域、以及电连接到有源区域和栅极结构的第一互连线；填充单元，设置在标准单元的至少部分之间，每个填充单元包括填充有源区域和设置为与填充有源区域交叉的填充栅极结构；以及布线结构，设置在标准单元和填充单元上，并且包括第二互连线，第二互连线将不同标准单元的第一互连线彼此电连接，其中第二互连线包括具有第一宽度的第一线和具有大于第一宽度的第二宽度的第二线。