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公开(公告)号:CN118943043A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410507760.5
申请日:2024-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了冷却剂管块组装件和半导体处理装置。示例冷却剂管块组装件包括:第一冷却剂管块,其包括第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个;中枢块,其被配置为在一侧暴露第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个,并且连接至第一冷却剂管块的下侧;第二冷却剂管块,其包括与第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个连通的至少一个第三冷却剂流动路径管和至少一个第四冷却剂流动路径管,并且通过中枢块与第一冷却剂管块堆叠;以及夹具,其设置在第二冷却剂管块的下部并且紧固至形成在中枢块外的紧固凹槽。
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公开(公告)号:CN109752381A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201811044729.3
申请日:2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N21/88
Abstract: 本申请涉及表面检查装置、表面检查方法以及制造显示设备的方法,其中该表面检查装置包括:第一相机,所述第一相机拍摄待检查物体的图像;半透半反镜,所述半透半反镜设置在位于第一光轴上的所述第一相机的上方;光源,所述光源与位于第二光轴上的半透半反镜相邻设置,所述第二光轴与所述第一光轴相交。所述光源辐射光,并且所述光经所述半透半反镜被导向所述待检查物体。所述表面检查装置还包括反射器,所述反射器设置在位于所述第一光轴上的所述半透半反镜的上方。所述反射器包括朝向所述待检查物体的反射凹面。
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公开(公告)号:CN119673735A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411078505.X
申请日:2024-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 一种等离子体处理装置,包括:等离子体室;射频(RF)电源,被配置为在等离子体室中产生等离子体;电磁体,被配置为向等离子体施加磁场;以及脉冲电流产生器,被配置为向电磁体提供脉冲电流,其中,脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分,并且脉冲电流产生器还被配置为:在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场,并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。
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公开(公告)号:CN109720874A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201811213590.0
申请日:2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种基板传送装置和包括该基板传送装置的基板检查装置,其中该基板传送装置包括:至少一个悬浮板,其在第一方向上延伸;第一抽吸移动器,其配置为沿所述至少一个悬浮板的一侧在第一方向上移动,并且包括第一吸垫和第一旋转驱动部分,第一吸垫配置为选择性地吸住基板的下表面的第一部分,第一旋转驱动部分配置为使第一吸垫绕第一中心轴线旋转;以及第二抽吸移动器,其被设置为与第一抽吸移动器间隔开,并且配置为沿所述至少一个悬浮板的所述一侧在第一方向上移动,并且包括第二吸垫和第二旋转驱动部分,第二吸垫配置为选择性地吸住基板的下表面的第二部分,第二旋转驱动部分配置为使第二吸垫绕第二中心轴线旋转。
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公开(公告)号:CN109560011A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811067563.7
申请日:2018-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: B65G49/065 , B65G49/064 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , H01L21/67288 , H01L21/67784 , H01L21/67242
Abstract: 提供了一种基板检查系统。所述基板检查系统包括:浮动单元,被配置为浮动基板;检查单元,布置在浮动单元上方;握持单元,布置在检查单元下方并且包括被配置为将基板保持在浮动单元上的第一握持构件;握持传送单元,被配置为沿第一方向移动握持单元;以及照明单元,被配置为产生光。检查单元被配置为检查在浮动单元上浮动的基板,照明单元布置在握持单元的移动路径上,以使得由照明单元产生的光照射到检查单元上。第一握持构件包括被配置为吸附基板的第一吸附垫和支撑第一吸附垫的第一支撑构件,第一支撑构件包括第一开口,照明单元插入第一开口中。
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公开(公告)号:CN115274390A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210291022.2
申请日:2022-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。
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