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公开(公告)号:CN119673735A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411078505.X
申请日:2024-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 一种等离子体处理装置,包括:等离子体室;射频(RF)电源,被配置为在等离子体室中产生等离子体;电磁体,被配置为向等离子体施加磁场;以及脉冲电流产生器,被配置为向电磁体提供脉冲电流,其中,脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分,并且脉冲电流产生器还被配置为:在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场,并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。