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公开(公告)号:CN118943043A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410507760.5
申请日:2024-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了冷却剂管块组装件和半导体处理装置。示例冷却剂管块组装件包括:第一冷却剂管块,其包括第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个;中枢块,其被配置为在一侧暴露第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个,并且连接至第一冷却剂管块的下侧;第二冷却剂管块,其包括与第一冷却剂流动路径管和第二冷却剂流动路径管中的至少一个连通的至少一个第三冷却剂流动路径管和至少一个第四冷却剂流动路径管,并且通过中枢块与第一冷却剂管块堆叠;以及夹具,其设置在第二冷却剂管块的下部并且紧固至形成在中枢块外的紧固凹槽。
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公开(公告)号:CN119673735A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411078505.X
申请日:2024-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 一种等离子体处理装置,包括:等离子体室;射频(RF)电源,被配置为在等离子体室中产生等离子体;电磁体,被配置为向等离子体施加磁场;以及脉冲电流产生器,被配置为向电磁体提供脉冲电流,其中,脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分,并且脉冲电流产生器还被配置为:在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场,并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。
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