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公开(公告)号：CN109411388A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810903569.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/67 , H01L21/67017 , H01L21/683
Abstract: 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。
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公开(公告)号：CN103840002A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310591041.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/10852 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。
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公开(公告)号：CN101075632A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710103453.7
申请日：2007-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种相变存储单元。该相变存储单元包括在半导体衬底上形成的层间绝缘层，和在该层间绝缘层中布置的第一和第二电极。在第一和第二电极之间布置相变材料图形。该相变材料图形是未掺杂的GeBiTe层、包含杂质的掺杂的GeBiTe层或包含杂质的掺杂的GeTe层。该未掺杂的GeBiTe层具有在被四个点(A1(Ge21.43，Bi16.67，Te61.9)、A2(Ge44.51，Bi0.35，Te55.14)、A3(Ge59.33、Bi0.5、Te40.17)和A4(Ge38.71，Bi16.13，Te45.16))围绕的范围内的成分比率，该四个点由具有锗(Ge)、铋(Bi)和碲(Te)的顶点的三角形成分图上顶点的坐标表示，并且该掺杂的GeBiTe层包含杂质并具有被四个点(D1(Ge10，Bi20，Te70)、D2(Ge30，Bi0，Te70)、D3(Ge70，Bi0，Te30)和D4(Ge50，Bi20，Te30))围绕的范围内的成分比率，该四个点由三角形成分图上的坐标表示。此外，该掺杂的GeTe层包含杂质并具有对应于点D2和D3之间的直线上的坐标的成分比率。
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公开(公告)号：CN103840002B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201310591041.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L23/522 , H01L29/423
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/10852 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN119028905A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410532402.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成衬底，该衬底包括具有第一区域和暴露第一区域的接触孔的结构；将衬底装载到工艺室中；在工艺室内在金属‑半导体化合物形成温度或更高温度下重复地执行沉积工艺和浸泡工艺两次或更多次，该沉积工艺包括重复地在第一持续时间内向工艺气体施加射频(RF)等离子体功率和在第二持续时间内不向工艺气体施加RF等离子体功率，该浸泡工艺不使用等离子体，从而形成第一区域上的金属‑半导体化合物层、接触孔的侧壁上的侧壁材料层、以及所述结构上的上材料层；在工艺室中执行去除侧壁材料层的至少一部分的去除工艺；以及在执行去除工艺之后从工艺室卸载衬底。
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公开(公告)号：CN115954361A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211204721.5
申请日：2022-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。一种半导体器件，包括：第一有源图案，与衬底间隔开并沿第一方向延伸；第二有源图案，比第一有源图案更远离衬底并沿第一方向延伸；栅极结构，在衬底上，该栅极结构沿与第一方向相交的第二方向延伸，并穿透第一有源图案和第二有源图案；第一源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第一有源图案；第二源/漏区，在栅极结构的至少一个侧表面上并连接到第二有源图案；以及缓冲层，在衬底和第一有源图案之间，该缓冲层包含锗。
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公开(公告)号：CN105190917A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015106.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。
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