公开(公告)号：CN101393965B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

公开(公告)号：CN101393965A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

公开(公告)号：CN101075632A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710103453.7

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具奉珍 ,  河龙湖 ,  朴斗焕 ,  朴正熙 ,  高汉凤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供一种相变存储单元。该相变存储单元包括在半导体衬底上形成的层间绝缘层，和在该层间绝缘层中布置的第一和第二电极。在第一和第二电极之间布置相变材料图形。该相变材料图形是未掺杂的GeBiTe层、包含杂质的掺杂的GeBiTe层或包含杂质的掺杂的GeTe层。该未掺杂的GeBiTe层具有在被四个点(A1(Ge21.43，Bi16.67，Te61.9)、A2(Ge44.51，Bi0.35，Te55.14)、A3(Ge59.33、Bi0.5、Te40.17)和A4(Ge38.71，Bi16.13，Te45.16))围绕的范围内的成分比率，该四个点由具有锗(Ge)、铋(Bi)和碲(Te)的顶点的三角形成分图上顶点的坐标表示，并且该掺杂的GeBiTe层包含杂质并具有被四个点(D1(Ge10，Bi20，Te70)、D2(Ge30，Bi0，Te70)、D3(Ge70，Bi0，Te30)和D4(Ge50，Bi20，Te30))围绕的范围内的成分比率，该四个点由三角形成分图上的坐标表示。此外，该掺杂的GeTe层包含杂质并具有对应于点D2和D3之间的直线上的坐标的成分比率。