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公开(公告)号：CN1901772A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106324.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供了一种处理基底的设备，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。
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公开(公告)号：CN110277295A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910109891.7
申请日：2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。
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公开(公告)号：CN1901772B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610106324.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 本发明提供了一种处理基底的设备，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。
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公开(公告)号：CN101113514A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710107773.X
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/22 , C23C16/513 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: C23C16/507 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638599A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410010475.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/46 , H01Q1/36 , H01L21/3065
Abstract: 一种天线，包括具有基本相同形状的分支。分支相对中心点对称地设置，并且沿着至少两个同心的图案延伸，该图案的几何中心和中心点重合。每个分支包括完全位于同心图案里的图案形成部分，和至少一个在图案形成部分之间延伸和连接的连接部分。在每个分支的末端提供给分支两端施加电压的输入/输出端子。
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公开(公告)号：CN110323116B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811245039.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。
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公开(公告)号：CN110277295B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910109891.7
申请日：2019-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 提供了用于制造半导体器件的系统和方法。所述用于制造半导体器件的系统可以包括：腔室；静电卡盘，用于装载基底；电源，将RF功率提供到静电卡盘；阻抗匹配器，位于电源与静电卡盘之间；功率传输单元，将静电卡盘连接到阻抗匹配器。功率传输单元可以包括功率杆和同轴电缆，功率杆连接到静电卡盘并且具有第一外径。同轴电缆可以包括内线、外线以及位于内线与外线之间的介电材料。内线将功率杆连接到阻抗匹配器并且具有比第一外径小的第二外径。外线连接到腔室且被设置为包围内线，并且具有比第一外径小且比第二外径大的第一内径。第一内径与第二外径的比大于介电材料的介电常数并且小于介电材料的介电常数的三倍。
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公开(公告)号：CN110323116A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811245039.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种气体分布板和一种包括该气体分布板的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备可以包括：支撑件，被构造为接收基底；气体分布板(GDP)，包括面对支撑件的多个喷嘴；主分流器，被构造为供应处理气体；以及附加分流器，被构造为供应加速气体或减速气体。多个喷嘴可以包括多个中心喷嘴、多个外围喷嘴、被构造为喷射处理气体和加速气体的多个中间喷嘴、多个第一喷嘴和多个第二喷嘴。
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公开(公告)号：CN101113514B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710107773.X
申请日：2007-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/22 , C23C16/513 , C23F4/00 , H05H1/24
CPC classification number: C23C16/507 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元；高频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；高频电源供应件，将高频电源施加给高频天线单元。所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。
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