公开(公告)号：CN1152626A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96102265.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC: C23C14/56

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

Abstract: 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚—引起的微粒形成。

公开(公告)号：CN1197121C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01136475.0

申请日：2001-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡胜基 ,  李相坤 ,  丁相赫 ,  许星镇

IPC: H01L21/00 ,  B01D53/00

CPC classification number: B01D53/70 ,  B01D2257/2066 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法，该半导体制造工艺包括一组子工艺，每个子工艺产生至少一种PFC，该方法包括以下步骤：将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流；用分立的PFC消除系统处理来自各个子工艺的混合排出气流；混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流，湿洗混合的经处理的气流。

公开(公告)号：CN1375858A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN01136475.0

申请日：2001-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡胜基 ,  李相坤 ,  丁相赫 ,  许星镇

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B01D53/70 ,  B01D2257/2066 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种在半导体制造工艺中减少PFC散发的方法,该半导体制造工艺包括一组子工艺,每个子工艺产生至少一种PFC,该方法包括以下步骤:将由各个子工艺产生的PFC排放至公共管线以形成混合的排出气流;用分立的PFC消除系统处理来自各个子工艺的混合排出气流;混合经处理的排出气流以形成混合的经处理的气流,湿洗混合的经处理的气流。

公开(公告)号：CN1165637C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN96102265.5

申请日：1996-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC: C23C14/56

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

Abstract: 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚-引起的微粒形成。

公开(公告)号：CN1501445A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310116459.X

申请日：1996-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/203 ,  H01L21/00 ,  C23C14/56

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

Abstract: 一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。

公开(公告)号：CN101236913A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710303593.9

申请日：2007-12-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  檀国大学校产学协力团

Inventor： 李宰硕 ,  任兴彬 ,  柳元景 ,  蔡胜基 ,  李阳求 ,  李宪定

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/94

CPC classification number: G01N21/94 ,  G01N21/718 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种用于分析晶片上污染物的设备和方法。该设备包括：晶片夹具，用于支撑在其上布置有待分析的污染物的晶片；激光切割器件，用于向晶片辐射激光以从晶片提取分离的样本；分析盒，用于收集通过辐射所述激光从晶片的表面分离的样本；以及与分析盒连接的分析器件，用于从收集的分离样本分析污染物。

公开(公告)号：CN1242456C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200310116459.X

申请日：1996-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全在善 ,  金元永 ,  梁允模 ,  蔡胜基

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/203 ,  H01L21/00 ,  C23C14/56

CPC classification number: H01L21/67748 ,  C23C14/566 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/184 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  Y10S414/139

Abstract: 一种半导体器件制造设备，包括：用于制造半导体器件的加工室；用于与上述的加工室连通的许多装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用于降低上述的许多装料预真空室的压力的泵；使上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体，上述的排气管包括许多条支管，每条支管与每个装料预真空室连接，和包含具有预定部分在直径上不同于其余部分的主管，其一端与上述的许多条支管连接而另一端与上述的泵连接；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀。

公开(公告)号：CN1638599A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410010475.5

申请日：2004-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑奭 ,  蔡胜基 ,  甘度英 ,  李光铭 ,  元济亨 ,  申在光 ,  吴在俊 ,  全尚珍

IPC: H05H1/46 ,  H01Q1/36 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种天线，包括具有基本相同形状的分支。分支相对中心点对称地设置，并且沿着至少两个同心的图案延伸，该图案的几何中心和中心点重合。每个分支包括完全位于同心图案里的图案形成部分，和至少一个在图案形成部分之间延伸和连接的连接部分。在每个分支的末端提供给分支两端施加电压的输入/输出端子。