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公开(公告)号：CN103000220B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210324904.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L29/78684 , G11C29/12005
Abstract: 半导体器件和操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：电压产生器，被配置为产生测试电压；石墨烯晶体管，被配置为基于测试电压接收栅极-源极电压；以及检测器，被配置为检测栅极-源极电压是否是石墨烯晶体管的狄拉克电压，并输出施加于电压产生器的反馈信号，其指示栅极-源极电压是否是狄拉克电压。
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公开(公告)号：CN103715240A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310128726.9
申请日：2013-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。
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公开(公告)号：CN102280992A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110113535.6
申请日：2011-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03K17/163 , H03K17/284
Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。
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公开(公告)号：CN101855727A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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公开(公告)号：CN1303245C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN03128660.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/35 , H01J9/236 , H01J23/10 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种溅射装置及其电极和该电极的制造方法。该电极为旋转式磁控管套磁控管型(RMIM)电极。RMIM电极包括：磁体单元，包括位于中央的柱形磁体和多个围绕柱形磁体的环形磁体；以及驱动单元，支承和离轴旋转磁体单元。在磁体单元中，相邻磁体有相反的磁化方向，具有小直径的环形磁体位于具有大直径的环形磁体内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1498057A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101227.7
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永东 , 尤里·N·托尔马切夫 , 金圣九 , 申在光
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。
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公开(公告)号：CN1445811A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03128660.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/35 , H01J9/236 , H01J23/10 , H01J37/3455
Abstract: 本发明公开了一种溅射装置及其电极和该电极的制造方法。该电极为旋转式磁控管套磁控管型(RMIM)电极。RMIM电极包括：磁体单元，包括位于中央的柱形磁体和多个围绕柱形磁体的环形磁体；以及驱动单元，支承和离轴旋转磁体单元。在磁体单元中，相邻磁体有相反的磁化方向，具有小直径的环形磁体位于具有大直径的环形磁体内侧。
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公开(公告)号：CN103928516B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201310376017.2
申请日：2013-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。
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公开(公告)号：CN102194867B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110051882.0
申请日：2011-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。
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