公开(公告)号：CN114512486A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110975133.0

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  白寅硕 ,  丁贤玉 ,  黄汎傭

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4074

Abstract: 提供了晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置。具有共用栅极结构的晶体管电路包括有源区和栅极。有源区具有在基底上沿第一方向延伸的主体以及从主体的在第一方向上的中心部分沿垂直于第一方向的第二方向延伸的突起。栅极布置在有源区上方以与有源区的沟道区叠置并且具有倒置的派结构，倒置的派结构从平面图来看在三个边上围绕但不覆盖有源区的包括有源区的两个拐角部分的部分。突起被分离区划分成分离成两个子部分的第一部分和第二部分。主体的在第一方向上的相对端对应于两个漏极区，突起的第二部分对应于共源极区，并且两个漏极区、共源极区和栅极构成两个晶体管，其中，两个晶体管共用栅极。

公开(公告)号：CN112447726B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202010644166.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金根楠 ,  金桐䎸 ,  金奉秀 ,  金恩娥 ,  尹燦植 ,  李基硕 ,  丁贤玉 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。

公开(公告)号：CN116528582A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211709125.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  申东花 ,  柳镐仁 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸，基底包括存储器单元区域、外围电路区域以及在存储单元区域与外围电路区域之间的边界区域；第一有源图案，在存储器单元区域中，第一有源图案中的每个在倾斜于第一方向的第三方向上延伸；以及硅坝结构，在边界区域中。硅坝结构可以包括包含在倾斜方向上延伸的沟槽线的硅坝图案和在沟槽线中的坝隔离图案。

公开(公告)号：CN108206156A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711372376.5

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹灿植 ,  李基硕 ,  郑基旭 ,  金桐晤 ,  李昊仁 ,  朴济民 ,  朴硕汉 ,  洪镇宇 ,  张燽娟 ,  丁贤玉 ,  徐有辰

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76232

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。

公开(公告)号：CN118540938A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311636590.2

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圣恩 ,  金珍英 ,  柳成然 ,  丁贤玉 ,  崔世领

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括：外围有源图案，其位于衬底上；第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域，该第一外围沟槽区域和该第二外围沟槽区域与外围有源图案相邻；第一隔离衬里，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域的内表面上；第二隔离衬里，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第一隔离衬里上；以及器件隔离层，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第二隔离衬里上。第二外围沟槽区域中的器件隔离层在其中包括接缝。在相对于衬底的与外围有源图案的顶表面相对应的第一高度处，第一外围沟槽区域的宽度大于第二外围沟槽区域的宽度。

公开(公告)号：CN116367532A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211173475.1

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁贤玉 ,  朴孝珍 ,  成豪镇 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括其中具有外围区域和单元区域的基底。提供了在外围区域中从基底突出的第一半导体有源图案。提供了在单元区域中从基底突出的第二半导体有源图案。第一半导体有源图案的上部分的第一边缘具有圆形形状，并且第二半导体有源图案的上部分的第二边缘具有圆形形状。第一边缘的曲率大于第二边缘的曲率。

公开(公告)号：CN112447726A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010644166.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金根楠 ,  金桐 ,  金奉秀 ,  金恩娥 ,  尹燦植 ,  李基硕 ,  丁贤玉 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。