半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN118540938A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202311636590.2

    申请日:2023-12-01

    Abstract: 一种半导体装置,包括:外围有源图案,其位于衬底上;第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域,该第一外围沟槽区域和该第二外围沟槽区域与外围有源图案相邻;第一隔离衬里,其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域的内表面上;第二隔离衬里,其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第一隔离衬里上;以及器件隔离层,其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第二隔离衬里上。第二外围沟槽区域中的器件隔离层在其中包括接缝。在相对于衬底的与外围有源图案的顶表面相对应的第一高度处,第一外围沟槽区域的宽度大于第二外围沟槽区域的宽度。

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