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公开(公告)号：CN115995245A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211248005.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C11/408
Abstract: 一种存储装置包括：第一子字线驱动器，所述第一子字线驱动器包括第一晶体管，所述第一晶体管由通过第一直接接触连接到第一字线的第一有源区和第一栅极线形成，所述第一栅极线和所述第一字线在第一方向上延伸；以及第二子字线驱动器，所述第二子字线驱动器包括第二晶体管，所述第二晶体管由通过第二直接接触连接到第二字线的第二有源区和第二栅极线形成，所述第二直接接触和所述第一直接接触在第二方向上并排设置并且彼此间隔开，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述第二栅极线在所述第一方向上延伸。由所述存储装置的第三子字线驱动器驱动的第三字线位于所述第一字线与所述第二字线之间。
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公开(公告)号：CN118632525A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410263395.8
申请日：2024-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种集成电路器件包括：基板，包括单元阵列区域和外围电路区域；第一离子注入区域，在外围电路区域中位于基板的上部中，第一离子注入区域具有在第一水平方向上延伸并穿过第一离子注入区域的多个线沟槽；多个下电容器电介质膜，每个下电容器电介质膜配置为分别覆盖相应线沟槽的内壁；多条掩埋导电线，每条部分地填充相应线沟槽并且每条设置在相应下电容器电介质膜上；多个第一下电容器接触，每个与相应掩埋导电线接触；以及多个第二下电容器接触，与第一离子注入区域接触。
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公开(公告)号：CN115512739A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210376020.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种子字线驱动器及包括其的半导体存储器件。所述子字线驱动器可以包括字线上拉晶体管、字线下拉晶体管和被配置为使字线维持在指定电压电平的保持晶体管。所述子字线驱动器可以包括：外围有源区域，所述外围有源区域位于衬底上；第一外围栅电极，所述第一外围栅电极对应于所述字线下拉晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；第二外围栅电极，所述第二外围栅电极对应于所述保持晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；以及第一下接触，所述第一下接触耦接到所述外围有源区域的第一区域。来自所述第一区域的第一(VBB)电压可以被供应给所述保持晶体管的源极节点。
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公开(公告)号：CN119626292A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410829881.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4097 , G11C11/4091 , G11C11/408 , G11C7/06
Abstract: 位线感测放大器包括放大电路、隔离电路、偏移消除电路和均衡器。放大电路连接到位线和互补位线，基于第一控制信号和第二控制信号感测位线和互补位线之间的电压差，并基于电压差调节感测位线和互补感测位线的电压。均衡器连接到感测位线，并且基于均衡信号将位线和互补位线均衡到预充电电压。均衡器包括均衡晶体管，该均衡晶体管具有源极、被配置为接收均衡信号的栅极、以及漏极。均衡晶体管的源极通过直接触点连接到布线结构，并且布线结构被配置为接收预充电电压。
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公开(公告)号：CN115497535A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210603717.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列、行地址译码器以及字线驱动电路，所述行地址译码器被配置为：生成多个主字线驱动信号和多个子字线驱动信号，基于奇信号被激活，通过以第一顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成用于驱动目标字线的多个编码子字线驱动信号，其中，所述奇信号表示驱动奇数字线的主字线驱动信号被激活，以及基于偶信号被激活，通过以第二顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成所述多个编码子字线驱动信号，其中，所述偶信号表示驱动偶数字线的主字线驱动信号被激活；所述字线驱动电路被配置为：以第一电压电平或第二电压电平来驱动所述目标字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114446336A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111122286.7
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/18 , H01L27/105
Abstract: 提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。
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公开(公告)号：CN116030855A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210680243.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件的子字线驱动器电路，包括：衬底中的第一有源图案和第二有源图案，以及栅极图案。第一有源图案包括第一保持晶体管的第一漏区和第一源区，该第一保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第一字线进行预充电。第二有源图案包括第二保持晶体管的第二漏区和第二源区，该第二保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第二字线进行预充电。栅极图案在第一有源图案的一部分上并且在第二有源图案的一部分上，与第一有源图案和第二有源图案部分地重叠。
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公开(公告)号：CN115206374A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210367298.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 一种位线读出放大器，包括：放大器，连接在第一读出位线和第二读出位线之间，并响应于第一控制信号和第二控制信号来检测并放大第一位线和第二位线之间的电压差；和均衡器，连接在通过其提供第一控制信号的第一电源线和通过其提供第二控制信号的第二电源线之间，并响应于均衡控制信号来用预充电电压对第一位线和第二位线进行预充电，其中，均衡器包括源端连接到第一电源线的均衡使能晶体管，并响应于均衡控制信号来执行均衡。
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公开(公告)号：CN118866045A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410277741.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4097
Abstract: 一种存储器装置，包括：与存储器单元区的第一边缘部分相邻的第一全局位线；与存储器单元区的第二边缘部分相邻的第二全局位线；在存储器单元区的中心部分中的伪全局位线，以及在读出放大器区中并且连接到第一全局位线、第二全局位线和伪全局位线的位线读出放大器。存储器单元区的第一层连接到读出放大器区的第二层，并且被配置为向伪全局位线中的每一个施加偏置电压。
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公开(公告)号：CN117769248A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311244101.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括在基板上的第一单元块，该第一单元块包括：第一单元区；第一虚设单元区，在平面图中围绕第一单元区，第一虚设单元区包括在第一虚设单元区的外周边中的第一有源区和第二有源区，每个第一有源区具有第一尺寸，每个第二有源区具有大于第一尺寸的第二尺寸；第一字线和第二字线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此交替，每条第一字线包括在第二有源区和第一有源区之间延伸的第一着陆区，第一有源区在第二方向上靠近第二有源区并与其间隔开；以及第一字线接触，在第一着陆区上。
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