公开(公告)号：CN108206156A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711372376.5

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹灿植 ,  李基硕 ,  郑基旭 ,  金桐晤 ,  李昊仁 ,  朴济民 ,  朴硕汉 ,  洪镇宇 ,  张燽娟 ,  丁贤玉 ,  徐有辰

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76232

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。