公开(公告)号：CN117998841A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310894652.3

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康㓓婷

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和平面地围绕第一区域的第二区域；下电极，设置在衬底的第一区域上并且沿竖直方向延伸；支撑部，围绕下电极的侧壁并且支撑下电极；第一上电极，在下电极上覆盖下电极，第一上电极包括设置在第一区域内的第一部分和设置在第二区域内的第二部分；介电层，布置在下电极与第一上电极之间；以及第二上电极，设置在第一上电极的第一部分上，其中，第二上电极不设置在第一上电极的第二部分上。

公开(公告)号：CN116133422A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211130243.8

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康㓓婷

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围电路区域；多个单元晶体管，其位于单元区域中；外围电路，其位于外围电路区域中；第一蚀刻停止膜，其覆盖多个单元晶体管；第二蚀刻停止膜，其覆盖外围电路并且限定穿过其中的底部插塞空间；电容器结构，其位于单元区域中并且包括多个下电极，多个下电极穿过第一蚀刻停止膜并且分别连接到单元晶体管；外围电路接触件，其位于外围电路区域中，外围电路接触件穿过第二蚀刻停止膜并且电连接到外围电路；以及绝缘衬垫，其位于第二蚀刻停止膜的限定底部插塞空间的侧壁部分上，绝缘衬垫围绕外围电路接触件的侧壁的至少一部分。

公开(公告)号：CN118076099A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311469975.4

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  康湳婷 ,  南基钦 ,  崔智贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括设置在外围电路区域中的外围电路晶体管。第一连接线和第二连接线设置在外围电路晶体管上方的同一平面上。第二连接线包括断开部分。单元电容器设置在单元区域中的基底上。第一板图案在单元电容器上。第二板图案在第一板图案的表面的一部分上。第一接触插塞直接接触第二板图案的上表面。第三连接线设置在第二连接线上方。第三连接线面向断开部分。第二接触插塞垂直延伸以直接接触第三连接线的侧壁和第二连接线的上表面两者。第三连接线设置在与第二板图案相同的平面上。

公开(公告)号：CN114512486A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110975133.0

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳焄 ,  白寅硕 ,  丁贤玉 ,  黄汎傭

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4074

Abstract: 提供了晶体管单元、晶体管电路、子字线驱动器和半导体装置。具有共用栅极结构的晶体管电路包括有源区和栅极。有源区具有在基底上沿第一方向延伸的主体以及从主体的在第一方向上的中心部分沿垂直于第一方向的第二方向延伸的突起。栅极布置在有源区上方以与有源区的沟道区叠置并且具有倒置的派结构，倒置的派结构从平面图来看在三个边上围绕但不覆盖有源区的包括有源区的两个拐角部分的部分。突起被分离区划分成分离成两个子部分的第一部分和第二部分。主体的在第一方向上的相对端对应于两个漏极区，突起的第二部分对应于共源极区，并且两个漏极区、共源极区和栅极构成两个晶体管，其中，两个晶体管共用栅极。