公开(公告)号：CN110402524A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017229.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 池户教夫 ,  中谷东吾 ,  冈口贵大 ,  横山毅 ,  薮下智仁 ,  高山彻

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/20

Abstract: 半导体激光装置(1)在基板(101)的主面的上方，具备第1导电侧半导体层(100)、活性层(300)以及第2导电侧半导体层(200)被依次层叠的层叠构造体，以多模式进行激光振荡，第2导电侧半导体层(200)具有电流阻挡层(240)，所述电流阻挡层(240)具有用于对电流注入区域进行划定的开口部(241)，在层叠构造体中的从第1导电侧半导体层(100)的一部分到第2导电侧半导体层(200)的部分形成一对侧面(105)，活性层(300)具有比开口部(241)的第1宽度宽的第2宽度，第1导电侧半导体层(100)的至少一部分中的一对侧面(105)相对于基板(101)的主面倾斜，对于在层叠构造体中导波的光，基板(101)的主面的法线方向上的光分布的最大强度位置处于第1导电侧半导体层(100)内。

公开(公告)号：CN104364983A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380031459.1

申请日：2013-08-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  持田笃范 ,  冈口贵大

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0282 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。

公开(公告)号：CN109417274A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039787.4

申请日：2017-05-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 池户教夫 ,  中谷东吾 ,  冈口贵大 ,  横山毅 ,  薮下智仁 ,  高山彻

IPC: H01S5/16 ,  B23K26/21

Abstract: 半导体激光装置(1)具备以第一导电侧半导体层(100)、活性层(300)、第二导电侧半导体层(200)的顺序层叠而成的层叠结构体，所述半导体激光装置进行横模多模振荡，层叠结构体具备：前端面(1a)；后端面(1b)；将前端面(1a)与后端面(1b)用作谐振器反射镜的光波导路，第二导电侧半导体层(200)，从活性层(300)近的一侧，依次具有第一半导体层(210)和第二半导体层(220)，针对光波导路的电流注入区域的宽度，由第二半导体层(220)规定，电流注入区域的谐振器长度方向的端部，比前端面(1a)以及后端面(1b)位于内侧，电流注入区域具有宽度发生变化的宽度变化区域，将宽度变化区域的前端面(1a)侧的宽度设为S1，宽度变化区域的后端面(1b)侧的宽度设为S1时，S1＞S2。

公开(公告)号：CN104364983B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201380031459.1

申请日：2013-08-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  持田笃范 ,  冈口贵大

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0282 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜，具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备：半导体层叠体，其由III族氮化物半导体构成，并具有发光端面；和保护膜，其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成，保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成，从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置，端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层，氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造，金属氧化物膜通过激光而结晶化。

公开(公告)号：CN109417276A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039851.9

申请日：2017-06-16

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中谷东吾 ,  冈口贵大 ,  池户教夫 ,  横山毅 ,  薮下智仁 ,  高山彻 ,  高须贺祥一

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置、半导体激光器模块及焊接用激光器光源系统。半导体激光器装置(100)具备第1导电侧的第1半导体层(13)、第1导电侧的第2半导体层(14)、活性层(15)、与第1导电侧不同的第2导电侧的第3半导体层(16)和第2导电侧的第4半导体层(17)，在将第2半导体层(14)以及第3半导体层(16)的带隙能量的最大值分别设为Eg2以及Eg3时，满足Eg2＜Eg3的关系式，第3半导体层(16)具有带隙能量朝向第4半导体层(17)单调减少的第1区域层，在将第2半导体层(14)的杂质浓度设为N2，将第3半导体层(16)的杂质浓度设为N3时，满足N2＞N3的关系式。