-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105453353A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480039909.6
申请日：2014-04-28
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/02208 , H01L2924/19107 , H01S5/02216 , H01S5/02236 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/4018 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/405
Abstract: 激光器件具有壳体（400），在所述壳体中布置有第一载体块（301）。在第一载体块（301）的纵向侧（330）上布置有具有辐射方向（131）的第一激光芯片（101）。第一激光芯片与布置在第一载体块上的第一接触区域（310）和布置在第一载体块（301）上的第二接触区域（320）导电连接。在第一接触区域（310）和壳体（400）的第一接触销（401）之间以及在第二接触区域（320）和壳体的第二接触销（402）之间存在各一个导电连接。激光芯片（101）的线性布置在每个载体块（301、302）上电串联连接。载体块上的预制的模块可以在其在壳体中被固定和接触之前关于其功能进行测试。陶瓷热沉（201、202）可以位于每个激光芯片（101）和载体块（301、302）之间。
-
公开(公告)号：CN105453350B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201480046192.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/023 , H01S5/02315 , H01S5/0233 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/024 , H01S5/042 , H01S5/40
Abstract: 本发明涉及一种包括边缘发射第一激光芯片（100）的激光元件（500）。所述边缘发射第一激光芯片具有上侧（101）、下侧（102）、端面（103）和侧面（104、105）。发射区（131）形成在端面上。侧面被定向成垂直于上侧和端面。第一金属化层（170）被布置在上侧上。台阶（153）形成在侧面上，侧面的邻近上侧的部分借助于该台阶而凹陷。钝化层（160）被布置在侧面的凹陷部中。激光芯片被布置在载体（400）上，其例如由金刚石构成。第一激光芯片（100）的侧面（104）面向载体（400）的表面。被布置在载体的表面上的第一焊接接触件（410）以导电的方式连接到第一金属化层（170）。借助于第一激光芯片（100）的第一金属化层（170）到第三激光芯片（300）的第一金属化层的电连接并且借助于藉由焊接接触件（410、420、430）的SMD安装，可提供具有高功率、改进的冷却并且没有令人烦恼的干扰的激光元件，因为两个发射区（131）定位成彼此至多相隔20μm（501）。
-
公开(公告)号：CN104871378B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380066530.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。
-
公开(公告)号：CN105453350A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480046192.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02256 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/02484 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/4043 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种包括边缘发射第一激光芯片（100）的激光元件（500）。所述边缘发射第一激光芯片具有上侧（101）、下侧（102）、端面（103）和侧面（104、105）。发射区（131）形成在端面上。侧面被定向成垂直于上侧和端面。第一金属化层（170）被布置在上侧上。台阶（153）形成在侧面上，侧面的邻近上侧的部分借助于该台阶而凹陷。钝化层（160）被布置在侧面的凹陷部中。激光芯片被布置在载体（400）上，其例如由金刚石构成。第一激光芯片（100）的侧面（104）面向载体（400）的表面。被布置在载体的表面上的第一焊接接触件（410）以导电的方式连接到第一金属化层（170）。借助于第一激光芯片（100）的第一金属化层（170）到第三激光芯片（300）的第一金属化层的电连接并且借助于藉由焊接接触件（410、420、430）的SMD安装，可提供具有高功率、改进的冷却并且没有令人烦恼的干扰的激光元件，因为两个发射区（131）定位成彼此至多相隔20μm（501）。
-
公开(公告)号：CN104871378A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066530.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.04 seconds)
