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公开(公告)号：CN104871378A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066530.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078455B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580060577.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。
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公开(公告)号：CN105580145B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480053076.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 说明一种光电子半导体芯片（1），其具有载体（5）和半导体本体（2），所述半导体本体具有被设置用于产生和/或接收辐射的有源区域（20），其中－半导体本体利用连接层（6）固定在载体上；－载体在垂直方向上在朝向半导体本体的第一主面（53）和背向半导体本体的第二主面（54）之间延伸，其中侧面（51）将第一主面和第二主面相互连接；－载体的侧面的第一区域（511）具有凹部（55）；－侧面的第二区域在垂直方向上在凹部和第二主面之间伸展；－半导体芯片具有绝缘层（4），所述绝缘层分别至少部分地覆盖半导体本体和第一区域；以及－第二区域不被绝缘层覆盖。此外说明一种半导体器件和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN107078455A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060577.4
申请日：2015-08-27
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。
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公开(公告)号：CN104871378B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380066530.X
申请日：2013-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
Abstract: 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。
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公开(公告)号：CN105580145A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053076.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/52 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 说明一种光电子半导体芯片（1），其具有载体（5）和半导体本体（2），所述半导体本体具有被设置用于产生和/或接收辐射的有源区域（20），其中半导体本体利用连接层（6）固定在载体上；载体在垂直方向上在朝向半导体本体的第一主面（53）和背向半导体本体的第二主面（54）之间延伸，其中侧面（51）将第一主面和第二主面相互连接；载体的侧面的第一区域（511）具有凹部（55）；侧面的第二区域在垂直方向上在凹部和第二主面之间伸展；半导体芯片具有绝缘层（4），所述绝缘层分别至少部分地覆盖半导体本体和第一区域；以及第二区域不被绝缘层覆盖。此外说明一种半导体器件和一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
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