公开(公告)号：CN101971372B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980109056.8

申请日：2009-05-28

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 马丁·斯特拉斯伯格 ,  汉斯-尤尔根·卢高尔 ,  文森特·格罗利尔 ,  贝特侯德·哈恩 ,  理查德·弗洛特尔

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/225

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/325 ,  H01S5/305

Abstract: 本发明公开了一种具有n型半导体层(21)和p型半导体层(22)的半导体本体(2)。p型半导体层(22)包含p型杂质并且n型半导体层(21)包含n型杂质和其他杂质。此外，还公开了一种用于制造半导体本体的方法。

公开(公告)号：CN102154704A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010547424.1

申请日：2010-11-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件。所述氮化物半导体晶体不会产生开裂、裂纹，具有可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的结构。所述氮化物半导体晶体(10)的特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且前述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层(1)和杂质浓度高的氮化物半导体层(2)交替2周期以上地层叠而构成的。

公开(公告)号：CN101133530B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580039011.X

申请日：2005-11-15

Applicant: 通用纳米光学有限公司

Inventor： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金

IPC: H01S5/32

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/323 ,  H01S5/4006

Abstract: 异质结构用于形成半导体注入式发射源、注入式激光器、半导体放大元件、半导体光放大器，其用在光纤通信和数据传输系统、光超高速计算和开关系统、医疗设备的开发、激光工业设备、倍频激光器中，以及用于充能固态和光纤激光器和放大器。提出了异质结构，注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器，其本质特征在于异质结构的有源层和漏入区的改进、以及在形成从有源层泄露的可控发射的瞬态区域中提供注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器的高效功能的异质结构层的位置、组分、折射率和厚度的组合选择。

公开(公告)号：CN101143522B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710127421.0

申请日：2007-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐云镐

IPC: B41J2/455

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  G03G15/04072 ,  G03G2215/0404 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明公开了一种多束激光设备和使用其的图像形成装置。该多束激光设备包括公共电极单元；使用该公共电极单元而发光的多个光源单元；以及将该公共电极单元和该多个光源单元互连的隔离单元。该公共电极单元与该多个光源单元设置在该隔离单元的同一侧，多个光源单元被延伸至该隔离单元内的深度变化的至少两个沟槽隔离。例如采用这种配置，该激光设备可以减少各个光源单元之间的距离以及电极的数目，并因此减少布线和引脚的数目以产生紧凑芯片，还可以防止该多个光源单元之间的干扰。

公开(公告)号：CN101834406A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010129840.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 索尼公司

Inventor： 一仓启慈 ,  仓本大

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/06

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063

Abstract: 一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。

公开(公告)号：CN101772846A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880101844.8

申请日：2008-07-31

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 市原隆志 ,  吉田裕史 ,  山田孝夫 ,  若井阳平

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/301 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。

公开(公告)号：CN101641463A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880007693.X

申请日：2008-01-09

Applicant: 莫门蒂夫性能材料股份有限公司

Inventor： 马克·P·德维林 ,  朴东实 ,  史蒂文·F·勒波伊夫 ,  拉里·B·劳兰德 ,  克里斯蒂·J·纳兰 ,  洪慧聪 ,  斯蒂芬·D·阿瑟 ,  彼得·M·桑德维克

IPC: C30B7/10 ,  C30B9/12 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B7/10 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供了一种包含镓和氮的结晶组合物。所述结晶组合物在确定的结晶组合物体积内可以具有每立方厘米低于约3×10 18 的氧浓度，以及可以不含二维面边界缺陷。该体积可以具有至少一个约2.75mm或更大的尺寸，并且该体积可以具有每平方厘米低于约10,000的一维线缺陷位错密度。

公开(公告)号：CN100461561C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200480040079.5

申请日：2004-12-27

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 田中章雅

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/11 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18388 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/423

Abstract: 一种半导体发光元件，具有多层构造体和玻璃基板。多层构造体含有积层的多个化合物半导体层，并生成光。多层构造体具有使所生成的光出射的光出射面，相对该光呈光学透明的玻璃基板，通过由氧化硅构成的膜粘合到光出射面。

公开(公告)号：CN100448039C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510128698.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下。

公开(公告)号：CN100426607C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200610074649.3

申请日：2006-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大柜义德

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32316

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体激光器件，所述化合物半导体激光器件具有第一导电类型的半导体衬底和依次形成于衬底上的多个层。所述多个层包括第一导电类型的第一和第二覆层、第二导电类型的第三覆层，以及第二和第三覆层之间的有源层。所述第二覆层的载流子浓度低于所述第一覆层的载流子浓度。例如，所述第一覆层的载流子浓度为1×1018cm-3到2×1018cm-3(包括端值)，而所述第二覆层的载流子浓度为1×1017cm-3到5×1017cm-3(包括端值)。