公开(公告)号：CN105022127B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510138319.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 苹果公司

Inventor： R·韦伯

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01S5/021 ,  H01S5/022 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/0261

Abstract: 本公开涉及有源硅光具座。集成光子模块包括被配置为用作光具座的半导体衬底。绝缘和导电材料的交替层被沉积在衬底上并被图案化从而限定电连接。在衬底上安装了与电连接接触的光电子芯片。在衬底上安装了驱动芯片，从而经由电连接将电驱动电流提供至光电子芯片。

公开(公告)号：CN103891067B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180074425.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 梁迪

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S3/136 ,  H01S3/10 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/06213 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/0624 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2222 ,  H01S2301/176

Abstract: 一种激光系统可包括响应于第一电刺激将电载流子传输至有源区的电极。该激光系统还可包括响应于第二电刺激将电载流子传输至该有源区的另一电极。这些电载流子可以在该有源区中结合，来发射用于生成光信号的光子。该系统可进一步包括又一电极，该又一电极响应于电刺激而影响设备层中电载流子的浓度，以改变与第一波导区、第二波导区以及该设备层中的至少一个相关联的内电容区的电容。该第三电刺激可以被调制为基于该内电容区的电容改变对该光信号进行调制。

公开(公告)号：CN105849606A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070563.6

申请日：2014-12-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 高桥森生

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/134

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/126 ,  G02B6/134 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/068 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/142

Abstract: 本发明提供一种光学波导元件和一种用于制造光学波导元件的方法，这使得在降低制造所述光学波导元件的成本时可靠地消除影响主信号光的杂散光成为可能。所述光学波导元件的特征在于具有硅层和位于所述硅层上方和下方的二氧化硅层。这个光学波导元件的特征还在于，硅层包含脊形波导和位于距所述脊形波导至少规定距离处的杂质注入区域。

公开(公告)号：CN105024278A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510394789.8

申请日：2009-05-13

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 迪特尔·艾斯勒 ,  西格弗里德·赫尔曼

IPC: H01S5/026

CPC classification number: H01S5/0261 ,  H01L25/167 ,  H01L27/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/36 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括载体衬底层(10)的光电组件(1)，其中载体衬底层(10)具有在晶片级在前段工序中预先构建于载体衬底层(10)之中或之上的多个电路(200)。发光二极管(100)设置在载体衬底层(10)上，发光二极管(100)的辐射特性、亮度和颜色由集成在载体衬底层(10)之中/之上的电路(200)控制。通过将多个光电组件(1、2、3)互连，制成具有极高的封装密度并且在色彩保真度和可调光性方面具有优良特性的光电组件装置。这种组件装置的独立的光电组件可以自治地或者相互耦合地或者根据环境来进行协调。

公开(公告)号：CN104733999A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410796326.X

申请日：2014-12-18

Applicant: JDS尤尼弗思公司

Inventor： 李光荣 ,  文森特·V.·王

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02469 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01S3/04 ,  H01S3/0405 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02407 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种引线框架型封装激光二极管，其中激光二极管芯片与封装电解耦。还提供了一种引线框架型封装，其包括被包覆在模制的塑料框架内的电极的二维网格，可以对引线框架的一维或二维阵列进行批量处理，批量处理包括激光二极管芯片贴装、引线键合和封装，以及随后将单个封装的激光二极管从一维或二维阵列中分离出来。

公开(公告)号：CN104466670A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410463309.4

申请日：2014-09-12

Applicant: 阿尔佩斯激光有限公司

Inventor： A.比斯穆托 ,  J.沃尔夫 ,  A.米勒 ,  J.费尔斯特

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/06837 ,  H01S5/183 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3401 ,  H01S5/3402 ,  H01S5/4087

Abstract: 通过在有源区域附近精确地控制激光器的温度，半导体激光器尤其在中红外光谱范围中可调谐。本发明引入一种用于局部加热有源区域的新设计，由此允许快速加热并且因此调谐激光器。它通常适用于整个领域的激光器。本发明由下列构成：在结构上集成加热电阻器作为激光器的部分，将加热电阻器布置为接近将要被进行温度控制的部件，并且为这个电阻器馈送可变电流以便局部控制热耗散。在多发射体激光器中，电阻器能够与每个发射体区段关联以调谐每个区段的温度并且因此调谐其发射的波长。类似地，在多区段DBR激光器中，利用与每个光栅关联的电阻器，能够调谐每个光栅并且因此调谐关联的光学腔的波长。本发明还包括激光器的新的制造过程。

公开(公告)号：CN102171896B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200880131443.7

申请日：2008-10-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 田中信介 ,  森户健

IPC: H01S5/024

CPC classification number: H01S5/0612 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0617 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/50

Abstract: 一种光放大控制装置，由半导体光放大器、温度调整单元和光增益控制单元形成，所述温度调整单元调整所述半导体光放大器的温度，所述光增益控制单元通过控制所述温度调整单元来调整所述半导体光放大器的温度，并且使所述半导体光放大器的光增益变动。因而，即使输出光强度(放大光的强度)增加，也能够抑制图案效应。

公开(公告)号：CN101364706B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810145596.9

申请日：2008-08-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 须藤清人

IPC: H01S3/109 ,  H01S3/10 ,  H01S5/00 ,  G03B21/20 ,  G03B15/05

CPC classification number: H01S5/0261 ,  H01S5/0428 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/06825 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明涉及半导体激光器、光源装置、照明装置、投影机及监控装置。对由于构成光源装置的电路的安装上存在的杂散电感而产生的工作效率的下降进行抑制。半导体激光器，在同一半导体基板上形成激光发光元件与续流二极管，在激光发光元件的电流输入端子上连接续流二极管的阴极，在激光发光元件的电流输出端子上连接续流二极管的阳极。

公开(公告)号：CN100459329C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200480035342.1

申请日：2004-10-26

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： T·阿尔布雷希特 ,  P·布里克 ,  M·菲利彭斯 ,  G·-Y·普莱纳

IPC: H01S5/026 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01S5/06825 ,  H01L27/15 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/042 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明涉及一种发光的半导体器件，所述发光半导体器件包含带有一个p掺杂的半导体层(4)区域和一个n掺杂的半导体层(3)区域的半导体层序列(2)，并且在所述区域构成一个第一pn结(5a、5b)。所述pn结(5a、5b)沿横向由一个绝缘段(6)划分成一个发光段(7)和一个保护二极管段(8)。在保护二极管段(8)的区域中在p掺杂半导体层(4)的区域敷设一个n掺杂的层(9)，所述n掺杂的层所述p掺杂的区域(4)一起构成一个起保护二极管作用的第二pn结(10)，其中在保护二极管段(8)中的第一pn结(5b)比发光段(7)中的第一pn结(5a)有较大的面积。保护二极管段(8)保护发光的半导体器件防止受到静电放电(ESD)引起的电压脉冲。

公开(公告)号：CN1997924A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200580016078.1

申请日：2005-04-14

Applicant: 英飞聂拉股份有限公司

Inventor： N·L·纳加拉贾恩 ,  F·A·老基什 ,  D·F·韦尔奇 ,  D·D·珀金斯 ,  M·加藤

IPC: G02B6/34

CPC classification number: G02B6/12033 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/12019 ,  G02B6/2813 ,  G02B6/293 ,  G02B6/29317 ,  G02B6/29338 ,  G02B6/29352 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0268 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087 ,  H04B10/506

Abstract: 诸如半导体电吸收调制器/激光器(EML)或无制冷光发射器集成光路(TxPIC)等的无制冷集成光路(PIC)可以在不需要环境冷却或气密式封装的情况下工作在比室温高的一个很宽的温度范围中。因为在TxPIC芯片上有N个光传输信号WDM通道的大规模集成，所以一种具有新颖检测手段和自适应算法的新DWDM系统解决方案可提供对该PIC的智能控制，以使其性能达到最佳并允许DWDM系统中的光发射器和接收器模块在不加冷却的情况下工作。此外，单片通道激光光源的波长栅格可能在WDM波带内热漂移，其中激光光源的各个发射波长并非正中标准化波长栅格上的各个波峰，而是有可能随环境温度的变化而左右移动。然而，控制仍然得以维持，使得在热漂移的波长栅格中相邻的激光光源之间，多个信号通道中各通道之间的通道光谱间隔无论是周期性间隔还是非周期性间隔，都保持着固定的关系。然后，在光接收器处提供一些装置，以便发现并锁定发送过来的WDM信号的漂移波长栅格，这之后对发送过来的WDM信号进行多路分配以便于OE转换。