公开(公告)号：CN102959750B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180033400.7

申请日：2011-06-03

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： U.波佩 ,  D.韦伯 ,  Y.迪文 ,  M.法利

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L39/223 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L39/145 ,  H01L39/228 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明涉及一种可通过离子运动来开关的三栅极器件。该三栅极器件具有源电极（3）、漏电极（3）以及连接在所述源电极与所述漏电极之间的沟道（2），所述沟道由其电导率能够通过输入和/或输出离子来改变的材料制成。根据本发明，所述三栅极器件包括与栅电极（6）接触的离子池（5），所述离子池与所述沟道连接得使得在给所述栅电极施加电势时所述离子池能够与所述沟道交换离子。已经认识到，在将一起存在于离子池和沟道中的离子在离子池和沟道上分布时，在三栅极器件中可以存储信息。离子在沟道上和在离子池上的分布当且仅当给栅电极施加相应驱动电势时才改变。因此与RRAM不同，不存在“时间－电压困境”。

公开(公告)号：CN102959750A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180033400.7

申请日：2011-06-03

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： U.波佩 ,  D.韦伯 ,  Y.迪文 ,  M.法利

IPC: H01L39/14 ,  H01L39/22 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L39/223 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L39/145 ,  H01L39/228 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

Abstract: 本发明涉及一种可通过离子运动来开关的三栅极器件。该三栅极器件具有源电极（3）、漏电极（3）以及连接在所述源电极与所述漏电极之间的沟道（2），所述沟道由其电导率能够通过输入和/或输出离子来改变的材料制成。根据本发明，所述三栅极器件包括与栅电极（6）接触的离子池（5），所述离子池与所述沟道连接得使得在给所述栅电极施加电势时所述离子池能够与所述沟道交换离子。已经认识到，在将一起存在于离子池和沟道中的离子在离子池和沟道上分布时，在三栅极器件中可以存储信息。离子在沟道上和在离子池上的分布当且仅当给栅电极施加相应驱动电势时才改变。因此与RRAM不同，不存在“时间－电压困境”。