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公开(公告)号：CN100448049C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN1559090A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02818779.2
申请日：2002-09-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/16 , H01L45/1633
Abstract: 本发明涉及一种使用用于选择存储单元的晶体管和固体电解质的开关。存储单元中，在形成于半导体基片表面的场效应晶体管的漏扩散层上层叠金属。在金属上层叠金属为载流子的固体电解质。固体电解质与金属隔着空隙连接，金属连接至共同接地线，场效应晶体管的源极连接至列地址线，场效应晶体管的栅极连接至行地址线。
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公开(公告)号：CN1650419A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809827.X
申请日：2003-04-25
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 独立行政法人理化学研究所 , 日本电气株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L27/04 , H01L27/10 , H03K19/173 , G11C17/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/1633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种即使切断电源也能保持导通或断开状态，能降低在导通状态下的电阻，实现集成化，并且能够再编程的固体电解质开关元件及使用其的FPGA、存储元件及其制造方法。固体电解质开关元件(10、10′、20、20′)，其特征在于具有：用绝缘层来覆盖表面的基片(11)、布置在基片(11)上的第1布线层(13)、布置在第1布线层(13)上的离子供给层(17)、设置在离子供给层(17)上的固体电解质层(16)、布置成对第1布线层(13)、离子供给层(17)和固体电解质层(16)进行覆盖，并具有导通孔的层间绝缘层(12)、通过层间绝缘层(12)的导通孔而布置成与固体电解质层(16)相接触的对置电极层(15)、以及布置成对对置电极层(15)进行覆盖状态的第2布线层(14)。能够提供利用离子供给层(17)和对置电极层(15)之间所加的阈值电压来任意设定导通状态和断开状态，是非挥发性，而且导通状态电阻小的开关元件。并且，因为本发明的开关元件结构简单，微细，所以，与现有的开关元件相比能够大幅度地提高微细化。若把本发明的开关元件使用于FPGA(30)的开关元件，则能够提供能够再编程式而且动作速度快的FPGA(30)。并且，若把本发明的开关元件使用于存储元件的存储媒体中，则能够提供写入和读出速度快的非挥发性存储元件(50)。
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公开(公告)号：CN100473966C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200380104615.9
申请日：2003-12-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01N1/16 , G01N27/26 , G01N27/62 , G01N30/60 , G01N30/72 , G01N33/48 , G01N35/08 , G01N37/00 , B01D57/00 , B01D57/02 , H01J49/26
CPC classification number: G01N30/72 , Y10T436/2575
Abstract: 以高浓度和准确的方式将各个成分从包含有被分离成分的样本中分离出来。分离装置(100)包括通道(112)，包含有被分离成分的样本移动通过该通道(112)；关口部件(208～214)，用于将分离通道(112)分隔成多个隔间(200～206)。分离装置(100)进一步包括外力施加单元，图中未示出，用于将外力施加到被分离成分以使它们流经通道。外力施加单元被构造成交替重复执行通过在沿着通道的前进方向上来施加外力的第一外力施加模式和通过在与沿着通道的前进方向相反的方向上来施加外力的第二外力施加模式。这可以将被分离成分分馏到隔间的任一个中。
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公开(公告)号：CN1761748A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007420.7
申请日：2004-03-17
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G01N33/54366 , C12Q1/686 , C12Q2565/518 , C12Q2523/307
Abstract: 一种反应装置(10)包括基底(12)和多个在基底(12)上形成的柱状构件(14)。将用于固定的寡核苷酸(16)粘附于基底(12)和柱状构件(14)的表面上，所述寡核苷酸(16)具有与起始模板DNA(18)的两个末端的序列互补的序列。在延伸条件下，通过引入起始模板DNA(18)，可以将起始模板DNA(18)固定在邻近的柱状构件(14)上。在这种条件中进行PCR。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1410155A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02151485.2
申请日：2002-08-02
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: B01J19/00 , B01D57/00 , C12M1/42 , C12M3/08 , G01N27/447
CPC classification number: B01L3/502761 , B01L3/502753 , B01L2200/0647 , B01L2200/0652 , B01L2400/086 , G01N27/44704 , G01N27/44773 , G01N30/02 , G01N30/6052 , G01N2030/285 , B01D15/34
Abstract: 一种用于将样品分离成大小不同的微观结构的分离设备，该设备包括一个有分离通道的分离部件，该分离通道位于分离部件基质上的沟槽中，在沟槽中形成间隔排列的柱路径(121)，其宽度比柱路径(121)间的间隙宽度要宽。当样品迁移通过分离通道时，小尺寸的DNA分子(S)被柱路径(121)捕获，大尺寸的DNA分子(L)顺利地迁移通过宽的间隔；所以大尺寸的DNA分子(L)比小尺寸的DNA分子能更快地到达分离通道的末端，且没有堵塞。
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公开(公告)号：CN101454920B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780019848.7
申请日：2007-03-26
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0009 , G11C13/02 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 公开了一种开关元件，该开关元件利用了电化学反应来操作，并包括：离子传导层(54)，能够传导金属离子；第一电极(49)，布置成与离子传导层接触；第二电极(58)，用于向离子传导层提供金属离子。该开关元件的特征在于包含比第二电极更易于被氧化的材料的吸氧层(55)形成为与第二电极接触。
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公开(公告)号：CN100407440C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480001389.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/1633
Abstract: 一个开关元件，包括：用于传导使用于电化学反应中的金属离子的一个离子导体，在接触离子导体的同时彼此分开一个规定距离提供的第一电极和第二电极，和与离子导体接触提供的第三电极。当引起切换到接通状态的一个电压被施加到第三电极时，一个金属被第一电极与第二电极之间的金属离子沉淀，从而电连接第一和第二电极。当引起切换到关闭状态的一个电压被施加到第三电极时，沉淀的金属溶解，因此，从而电断开第一和第二电极。
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公开(公告)号：CN1720606A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104626.7
申请日：2003-12-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/76838 , B82Y10/00 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/53276 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 按比例缩小设计已经提出的问题在于，互连结构的电阻值增大和对电迁移和应力迁移的抵抗力减小。本发明提供一种高可靠性半导体器件的互连结构和制造该互连结构的方法，该半导体器件即使在按比例缩小设计的情况下仍具有低电阻值并且不产生电迁移或应力迁移。提供一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件在形成于其上形成半导体器件元件的衬底上的绝缘膜上的互连沟槽或通孔中具有由金属和碳纳米管的混合物构成的互连或连接栓。
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公开(公告)号：CN1720440A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380104635.6
申请日：2003-11-28
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01N1/28 , G01N27/447 , G01N27/62 , G01N30/60 , G01N30/72 , G01N33/48 , G01N35/08 , G01N37/00 , B01D57/00 , B01D57/02 , B81C1/00 , H01J49/26
Abstract: 在基板(101)中形成通道(103)，并且在通道(103)的一个端部中形成包括多个柱体(105)的干燥区(107)。在除了干燥区(107)之上的区域之外、在通道(103)之上形成盖(109)。当将样品引入通道(103)时，它就通过毛细管现象被引导至干燥区(107)。通过加热器(111)加热干燥区(107)，蒸发溶剂，用于浓缩和干燥溶质。
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