公开(公告)号：CN106252453A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610817817.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 南昌大学

Inventor： 石海平 ,  程抱昌

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L31/09 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1836

Abstract: 基于一维纳米半导体结构表面态调控的自供能光电探测器及制备方法，其特征是包括单根一维纳米半导体结构材料、金属电极、聚合物封装层、基片、导线；单根一维纳米半导体结构材料水平放置在基片的中间，金属电极位于单根一维纳米半导体结构材料的两端，并与导线连接，聚合物封装层将单根一维纳米半导体结构材料、金属电极覆盖在基片上。在100℃真空烘箱中保温24小时。本发明的自供能光电探测器，制备工艺简单，在继承原有光电探测器的优点上再利用宽禁带半导体材料的直接带隙作用，有效提高了器件的光电导增益、光响应度以及选择性，对实际应用非常有利。

公开(公告)号：CN106206941A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610611579.4

申请日：2016-07-30

Applicant: 南昌大学

Inventor： 石海平 ,  程抱昌

IPC: H01L45/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16

Abstract: 一种基于氧化锌/碳杂化纳米结构的多比特存储器，其特征是包括源极、二氧化硅氧化层、P型硅片、单根一维氧化锌/碳杂化纳米线、栅极、漏极、导线；在P型硅片上表面为二氧化硅氧化层，在二氧化硅氧化层的中间位置水平放置单根一维氧化锌/碳杂化纳米线，单根一维氧化锌/碳杂化纳米线的两端分别为源极和漏极，栅极位于P型硅片衬底底面中心；源极、漏极、栅极分别通过在单根一维ZnO/C杂化纳米线的两端和P型硅片衬底底面中心点银、金或铂浆获得。本发明的多比特存储器具有良好的电阻开关特性，可作为场效应晶体管存储器件使用，器件的制备工艺简单，对实际应用非常有利。