公开(公告)号：CN105576120A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510067957.2

申请日：2015-02-09

Applicant: 科洛斯巴股份有限公司

Inventor： S·P·麦克斯维尔 ,  K-H·金 ,  S·H·乔

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本文描述用于硅基导电膜的低温沉积，提供用于固态存储器的硅基电性导体的低温沉积。在各种公开实施例中，所述硅基导体可以形成存储器单元的电极、电子装置的导电组件之间的互连、导电穿孔、导线等等。此外，所述硅基电性导体可以形成作为单晶工艺结合互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的制造的一部分。在具体的实施例中，所述硅基电性导体可以是p型硅锗化合物，即其在兼容CMOS装置制造的温度下沉积时被激活。