公开(公告)号：CN102160145A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136547.1

申请日：2009-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·罗特费尔德 ,  白杰 ,  朴志洙 ,  珍妮佛·海翠克 ,  李继忠 ,  陈志源

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02538 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/205 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。

公开(公告)号：CN102160145B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980136547.1

申请日：2009-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·罗特费尔德 ,  白杰 ,  朴志洙 ,  珍妮佛·海翠克 ,  李继忠 ,  陈志源

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02538 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/205 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。