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公开(公告)号：CN102906875B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180025060.3
申请日：2011-05-27
Applicant: 弗立泽姆公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造单片集成光电子模块设备(100)的方法，该单片集成光电子模块设备(100)包括至少两个串联互连的光电子部件(104，106，108)。该方法包括在以(a，b，c)或(c，b，a)为顺序的3层堆叠的绝缘衬底或覆盖层(110)上沉积和划线：(a)后接触电极(122，124，126，128)，(b)半导电层(130)，以及(c)前接触部件(152，154，156，158)。将通孔(153，155，157)钻出，因此该钻孔工艺的热在所述通孔的表面导致金属化，向所述通孔的半导电层的表面(132、134、136、138)给予导电性，由此通过将第一前接触部件(154，156)连接到第二后接触部件(124，126)在光电子部件(104，106，108)之间建立串联互连的电气路径。
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公开(公告)号：CN103430279A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012915.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里 , 帕特里克·布罗什 , 西胁士郎 , 戴维·布雷莫
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
Abstract: 一种制造薄膜光伏装置（100）的方法，该装置包括沉积在一个背面接触层（120）上的光伏Cu(In,Ga)Se2或等效ABC吸收层（130），例如ABC2层，该方法的特征在于包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现全部经沉积的元素的最终比率A/B。所得的光伏装置的特征在于由光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着一个具有渐增的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半侧上Ga/(Ga+In)值的增加小于0.15并且包括至少一个隆起。
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公开(公告)号：CN106252202A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610654658.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里 , 帕特里克·布罗什 , 西胁士郎 , 戴维·布雷莫
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 一种制造薄膜光伏装置(100)的方法，所述方法包括：a)在背面接触层上沉积吸收层的第一区，所述背面接触层设置在基板上，其中，所述第一区包含选自由In、Ga和Al组成的组中的一种或多种第一元素；b)在所述第一区上沉积所述吸收层的第二区，在沉积所述第二区期间，保持第一沉积速率比率；c)在所述第二区上沉积所述吸收层的第三区，在沉积所述第三区期间，保持第二沉积速率比率，且所述第二沉积速率比率小于所述第一沉积速率比率的0.83倍；以及d)在所述第三区上沉积所述吸收层的第四区，在沉积所述第四区期间，保持第三沉积速率比率，并且，所述第三沉积速率比率大于所述第二沉积速率比率的1.2倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104704617B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201380053394.0
申请日：2013-12-16
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 史蒂芬·布撤勒 , 费边·皮内泽 , 帕特里克·莱因哈德 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里
CPC classification number: H01L31/0323 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/18
Abstract: 用于制造薄膜光电装置(100)的方法(200)和沉积区设备(300)，该方法包括：提供一个钾不扩散衬底(110)；形成一个背接触层(120)；形成至少一个吸收层(130)，该吸收层由一种ABC硫族化物材料制成；添加至少两种不同的碱金属；以及形成至少一个前接触层(150)，其中所述至少两种不同的碱金属中的一者是钾并且其中，在形成所述前接触层之后，在从背接触层(120)(不包括背接触层(120))到前接触层(150)(包括前接触层(150))的层区间(470)中，由添加至少两种不同的碱金属产生的包含量对于钾是在500到10000ppm的范围内，并且对于所述至少两种不同的碱金属中的另一者是在5到2000ppm的范围内并且是该钾的包含量的至多1/2并且至少1/2000。该方法(200)和设备(300)对于以高光伏转化效率和更快的生产速率在柔性衬底上更环境友好地生产光伏装置(100)是有利的。
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公开(公告)号：CN106252202B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610654658.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里 , 帕特里克·布罗什 , 西胁士郎 , 戴维·布雷莫
IPC: H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 一种制造薄膜光伏装置(100)的方法，所述方法包括：a)在背面接触层上沉积吸收层的第一区，所述背面接触层设置在基板上，其中，所述第一区包含选自由In、Ga和Al组成的组中的一种或多种第一元素；b)在所述第一区上沉积所述吸收层的第二区，在沉积所述第二区期间，保持第一沉积速率比率；c)在所述第二区上沉积所述吸收层的第三区，在沉积所述第三区期间，保持第二沉积速率比率，且所述第二沉积速率比率小于所述第一沉积速率比率的0.83倍；以及d)在所述第三区上沉积所述吸收层的第四区，在沉积所述第四区期间，保持第三沉积速率比率，并且，所述第三沉积速率比率大于所述第二沉积速率比率的1.2倍。
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公开(公告)号：CN103430279B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280012915.3
申请日：2012-04-17
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里 , 帕特里克·布罗什 , 西胁士郎 , 戴维·布雷莫
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02568 , H01L31/0322 , H01L31/03928 , Y02E10/541
Abstract: 一种制造薄膜光伏装置（100）的方法，该装置包括沉积在一个背面接触层（120）上的光伏Cu(In,Ga)Se2或等效ABC吸收层（130），例如ABC2层，该方法的特征在于包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现全部经沉积的元素的最终比率A/B。所得的光伏装置的特征在于由光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着一个具有渐增的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半侧上Ga/(Ga+In)值的增加小于0.15并且包括至少一个隆起。
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公开(公告)号：CN102906875A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025060.3
申请日：2011-05-27
Applicant: 弗立泽姆公司
IPC: H01L27/142 , H01L31/05 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/0296 , H01L31/0322 , H01L31/03925 , H01L31/03926 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造单片集成光电子模块设备(100)的方法，该单片集成光电子模块设备(100)包括至少两个串联互连的光电子部件(104，106，108)。该方法包括在以(a，b，c)或(c，b，a)为顺序的3层堆叠的绝缘衬底或覆盖层(110)上沉积和划线：(a)后接触电极(122，124，126，128)，(b)半导电层(130)，以及(c)前接触部件(152，154，156，158)。将通孔(153，155，157)钻出，因此该钻孔工艺的热在所述通孔的表面导致金属化，向所述通孔的半导电层的表面(132、134、136、138)给予导电性，由此通过将第一前接触部件(154，156)连接到第二后接触部件(124，126)在光电子部件(104，106，108)之间建立串联互连的电气路径。
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公开(公告)号：CN104704617A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201380053394.0
申请日：2013-12-16
Applicant: 弗立泽姆公司 , 瑞士材料科学技术研究所
Inventor： 阿德里安·希里拉 , 史蒂芬·布撤勒 , 费边·皮内泽 , 帕特里克·莱因哈德 , 阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里
CPC classification number: H01L31/0323 , C23C14/14 , C23C14/24 , H01L21/02422 , H01L21/02568 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L31/18
Abstract: 用于制造薄膜光电装置(100)的方法(200)和沉积区设备(300)，该方法包括：提供一个钾不扩散衬底(110)；形成一个背接触层(120)；形成至少一个吸收层(130)，该吸收层由一种ABC硫族化物材料制成；添加至少两种不同的碱金属；以及形成至少一个前接触层(150)，其中所述至少两种不同的碱金属中的一者是钾并且其中，在形成所述前接触层之后，在从背接触层(120)(不包括背接触层(120))到前接触层(150)(包括前接触层(150))的层区间(470)中，由添加至少两种不同的碱金属产生的包含量对于钾是在500到10000ppm的范围内，并且对于所述至少两种不同的碱金属中的另一者是在5到2000ppm的范围内并且是该钾的包含量的至多1/2并且至少1/2000。该方法(200)和设备(300)对于以高光伏转化效率和更快的生产速率在柔性衬底上更环境友好地生产光伏装置(100)是有利的。
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