公开(公告)号：CN105047671B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510184664.2

申请日：2015-04-17

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 崔淳铉 ,  辛基泽 ,  赵哲熙 ,  卢泰允

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/84 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32133 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669 ,  H01L2021/775 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法，并且在源极/漏极金属图案与位于源极/漏极金属图案上方的钝化层之间形成有透明电极图案(ITO)，上述源极/漏极金属图案和钝化层形成在用于显示面板的阵列基板的非有源区的钝化孔区中。因此，可以防止由于在钝化孔区中金属层和钝化层之间粘合强度不足而产生的层离现象或钝化层的材料的剥离所引起的显示故障。

公开(公告)号：CN105097670B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201510464153.6

申请日：2015-07-31

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 郭建

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133351 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F2201/07 ,  G03F7/40 ,  H01L21/78 ,  H01L27/1218 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供了一种母板及其制作方法，涉及显示技术领域，该母板能够改善因切割区域与基板单元区域的段差引起的光刻胶剧烈起伏，进而影响后续曝光和显影的问题。一种母板，包括：基板单元区域和切割区域，该母板还包括：缓冲部，所述缓冲部位于所述母板的切割区域，用于减小所述基板单元区域和所述切割区域的段差。本发明适用于母板的制作。

公开(公告)号：CN107305907A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710256835.7

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 梁伸赫 ,  李光洙 ,  金斗铉 ,  金志训

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/469 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/326 ,  H01L51/56

Abstract: 提供了一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括基底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、保护绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极以及子像素结构。缓冲层设置在基底上。有源层设置在缓冲层上，并且具有源极区、漏极区和沟道区。栅极绝缘层在有源层上设置在沟道区中。保护绝缘层设置在缓冲层、有源层的源极区和漏极区以及栅极绝缘层上。栅电极在保护绝缘层上设置在沟道区中。层间绝缘层设置在栅电极上。源电极和漏电极设置在层间绝缘层上。

公开(公告)号：CN104769657B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380055962.0

申请日：2013-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田昌弘 ,  小笠原功

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13456 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

Abstract: 在有源矩阵基板(5)中，设有：安装端子(DT1)；连接安装端子(DT1)和数据总线(D)的引出线(22r)；第1共用配线(24)，其与多条数据总线(D)共同连接；以及第2薄膜晶体管(第2开关元件)(23a)，其连接在引出线(22r)和第1共用配线电极(34)和端子下层电极(36a、36b)通过端子接触孔(H2a)连接。并且，以覆盖第2薄膜晶体管(26a)的至少一部分的方式设有端子上层电极(34)。(24)之间。另外，在安装端子(DT1)中，端子上层

公开(公告)号：CN106449667A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611189759.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  重庆京东方光电科技有限公司

Inventor： 王谦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0274 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1214 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1259 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述制作方法包括：利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够使得高分辨率显示装置应用GOA技术。

公开(公告)号：CN106328586A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610717847.0

申请日：2016-08-24

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 郝晓丹 ,  殷婉婷

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  C23C16/44 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66757 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675 ,  C23C16/44 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板，所述制备方法包括：设置一基板，并在所述基板上形成缓冲层；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在所述缓冲层上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对所述非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的所述非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层；将所述多晶硅层图案化。能够有效降低低温多晶硅阵列基板制造的工艺，较少了制造设备的投入，进一步降低了制备成本。

公开(公告)号：CN106252360A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610750888.X

申请日：2016-08-29

Applicant: 昆山国显光电有限公司

Inventor： 张乐

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明涉及一种显示屏及其制作方法。该显示屏包括依次层叠的基板、第一金属层、平坦化层、介质层、第二金属层及显示区，基板的表面上开设贯穿其两侧的接口电路槽；第一金属层位于基板上，第一金属层填充接口电路槽，形成接口电路区域，第一金属层的远离基板的表面上形成有连接接口电路区域的走线；平坦化层覆盖第一金属层，平坦化层上开设有第一通孔，第一通孔的深度为平坦化层的厚度与第一金属层的厚度之差；介质层上开设有与第一通孔连通的第二通孔；第二金属层填充第一通孔和第二通孔；显示区位于第二金属层上。上述显示屏及其制作方法，实现显示屏的窄边框。

公开(公告)号：CN106024813A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610647282.3

申请日：2016-08-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 贺芳 ,  崔承镇

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/15 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明涉及一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及相应装置，用以解决目前常见的LTPS工艺，制作工艺较为复杂，一般需进行10‑11道光刻工艺，增加了低温多晶硅显示设备的生产成本的问题。该方法包括：在衬底基板上依次形成像素电极、遮光层、低温多晶硅有源层、栅极、层间绝缘层、源漏极、以及公共电极的图形；其中通过一道构图工艺形成像素电极和遮光层的图形。本发明的制作方法中，能够通过一道构图工艺形成像素电极层和遮光层的图形，且在整个阵列基板的制作过程仅需要通过六道构图工艺来实现，相比于现有技术中需进行10‑11道光刻工艺，减少了LTPS工艺使用的掩膜版数量，简化了制程，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN105789121A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610364884.8

申请日：2016-05-27

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 莫再隆 ,  代科 ,  张正东

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明公开一种全反射阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示技术领域，为解决制备金属反射层时转接过孔腐蚀且制备成本较高的问题而发明。所述全反射阵列基板的制备方法包括：步骤1、在承载基底上形成栅线和栅极、栅绝缘层、有源层、数据线和源、漏极、钝化层和钝化层过孔；步骤2、在所述承载基底上沉积金属反射层薄膜，并在所述金属反射层薄膜上沉积连接线层薄膜；步骤3、通过半曝光掩膜板进行构图工艺，在显示区域形成兼具像素电极功能和反射功能的金属反射层、在外围集成电路区域形成连接线，所述连接线由位于下层的金属反射层和位于上层的连接线层构成。本发明提供的方法用于全反射阵列基板的制备。

公开(公告)号：CN105590953A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510768045.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 金容玟 ,  金正五 ,  白正善 ,  南敬眞 ,  尹净基

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/3265 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L27/3244 ,  H01L21/027 ,  H01L21/77 ,  H01L2021/775

Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法，所述有机发光二极管显示器包括定义出发光区和非发光区的基板；设置在基板上的非发光区中的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的钝化层；在发光区中的第一存储电容器电极和叠加于其上的第二存储电容器电极，钝化层插入其间；设置在第二存储电容器电极上的覆盖层；和设置在覆盖层上的阳极，该阳极经由穿过覆盖层的覆盖层接触孔与第二存储电容器电极的一侧接触，且经由设置在覆盖层中且穿过钝化层的钝化层接触孔与部分薄膜晶体管接触。