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公开(公告)号：CN110692130B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201880035873.2
申请日：2018-05-21
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 一种衬底处理系统包括处理室。在处理室中布置有基座。边缘耦合环被布置成邻近基座并且围绕衬底的径向外边缘。致动器配置成相对于衬底选择性地移动边缘耦合环以改变边缘耦合环的边缘耦合轮廓。衬底处理系统包括基于相机的检测系统，其指示致动器调节边缘耦合环的位置。相机被配置为与控制器通信，并且控制器调节相机的位置和/或焦点。响应于来自相机的边缘耦合环状况信息，控制器操作致动器以竖直移动边缘耦合环。响应于来自相机的边缘耦合环位置信息，控制器操作致动器以水平移动边缘耦合环。
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公开(公告)号：CN110692130A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880035873.2
申请日：2018-05-21
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 一种衬底处理系统包括处理室。在处理室中布置有基座。边缘耦合环被布置成邻近基座并且围绕衬底的径向外边缘。致动器配置成相对于衬底选择性地移动边缘耦合环以改变边缘耦合环的边缘耦合轮廓。衬底处理系统包括基于相机的检测系统，其指示致动器调节边缘耦合环的位置。相机被配置为与控制器通信，并且控制器调节相机的位置和/或焦点。响应于来自相机的边缘耦合环状况信息，控制器操作致动器以竖直移动边缘耦合环。响应于来自相机的边缘耦合环位置信息，控制器操作致动器以水平移动边缘耦合环。
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公开(公告)号：CN105225912B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510372711.6
申请日：2015-06-29
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼 , 亚历山大·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供了半导体衬底处理装置中包含中央气体喷射器的陶瓷喷头，具体提供了一种电感耦合等离子体处理装置，其包括真空室、真空源和上面支承有半导体衬底的衬底支撑件。陶瓷喷头形成所述真空室的上壁。所述陶瓷喷头包括与用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个喷头气体出口流体连通的充气室，以及配置成容纳中央气体喷射器的中央开口。中央气体喷射器被布置在所述陶瓷喷头的中央开口中。所述中央气体喷射器包括用于供给工艺气体到所述真空室的所述内部的多个气体喷射器出口。RF能量源激励所述工艺气体成等离子体状态以处理所述半导体衬底。由中央气体喷射器供给的工艺气体的流率和由所述陶瓷喷头供给的工艺气体的流率能独立地控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107293470A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710584085.6
申请日：2014-08-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及用于蚀刻的快速气体切换，具体而言，本发明提供了一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法。将所述层放置于所述等离子体腔室中。从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体，其中来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零。从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且在与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体。在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体同时，使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104347341B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410377267.2
申请日：2014-08-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/32137 , H01L21/67069
Abstract: 本发明涉及用于蚀刻的快速气体切换，具体而言，本发明提供了一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法。将所述层放置于所述等离子体腔室中。从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体，其中来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零。从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且在与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体。在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体同时，使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN118380304A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410306942.6
申请日：2018-08-23
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 描述了用于增加具有离子的低角分散的峰值离子能量的系统和方法。在所述系统中的一者中，耦合到与等离子体室相关联的上电极的多个射频(RF)发生器在两种不同状态(例如，两种不同频率电平)下操作，以使RF发生器的脉冲发生。RF发生器的脉冲发生有利于将一种状态期间的离子能量转移到另一种状态，以在该另一种状态期间增加离子能量，从而进一步提高加工衬底的速度。
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公开(公告)号：CN113811980B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202080035046.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 二维频率搜索网格由表示RF信号发生器在第一操作状态下的操作频率设定点的第一坐标轴和表示所述RF信号发生器在第二操作状态下的操作频率设定点的第二坐标轴定义。所述RF信号发生器具有在第一操作状态下的第一输出功率电平和在第二操作状态下的第二输出功率电平。所述RF信号发生器通过在第一操作状态和第二操作状态之间循环交替而以多级RF功率脉冲模式操作。自动搜索过程在二维频率搜索网格内执行，以同时确定所述RF信号发生器在第一操作状态下的的操作频率设定点的最佳值和所述RF信号发生器在第二操作状态下的的操作频率设定点的最佳值。
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公开(公告)号：CN111357075B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880074096.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 张依婷 , 理查德·马什 , 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼 , 亚历山大·帕特森
IPC: H01J37/32
Abstract: 衬底处理系统包括多区域冷却装置，以对衬底处理室中全部或基本上全部的窗提供冷却。在一方面，该装置包括一或更多个气室，以覆盖衬底处理室中全部或实质上全部的窗，其包括在衬底处理室中用于变压器耦合型等离子体的能量源下方。一或更多个空气放大器及随附导管提供空气至一或更多个气室，以提供气流至窗。这些导管连接至距离中心不同距离处的气室入口，以引导气流至整个窗，从而处理取决于室中所进行的工艺的中心热、中间热及边缘热状况。在一方面，该一或更多个气室包括中心空气入口，以引导空气朝向窗的中心部分，以处理中心热状况。
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