公开(公告)号：CN104508557B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380039975.9

申请日：2013-09-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 上村聪 ,  高桥秀知 ,  加藤启太

IPC: G03F7/038 ,  C08F212/14 ,  C08F220/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C08F220/58 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0388 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C08F220/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  C08F220/58 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的图案形成方法包括(i)使用光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物形成膜，所述光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物含有具有包含能够通过归因于酸的作用的分解而生成极性基团的基团的重复单元和包含羧基的重复单元的树脂(A)，根据使用光化射线或放射线的照射生成酸的化合物(B)，以及溶剂(C)；(ii)使用KrF准分子激光、极紫外线或电子束将所述膜曝光；以及(iii)通过使用包含有机溶剂的显影液将已曝光的膜显影而形成阴图型色调图案。

公开(公告)号：CN107924131A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680050261.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 樋田匠 ,  牧野嶋高史 ,  佐藤隆 ,  越后雅敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C07D405/04 ,  C08G61/122 ,  C08G2261/11 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/3242 ,  C08G2261/59 ,  C08G2261/76 ,  C08G2261/90 ,  C09D165/00 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明提供含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示化合物的结构单元的树脂中的至少任意者的光刻用下层膜形成材料。(式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基或羟基，在同一萘环或苯环中任选相同或不同，n为1～4的整数，n为2以上的整数的情况下，n个[]内的结构单元的结构式任选相同或不同，X表示氧原子、硫原子或为无桥接，m2各自独立地为0～7的整数，此处至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1，其中，选自由R1及R2组成的组中的至少1个为包含碘原子的基团。)

公开(公告)号：CN107430344A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019414.6

申请日：2016-04-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈田佳奈 ,  牧野嶋高史 ,  越后雅敏 ,  东原豪 ,  大越笃

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  C07C39/15 ,  C07C261/02 ,  C07D311/78 ,  C09D165/00 ,  C09D173/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种光刻用下层膜形成用材料，其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1是碳数1～30的2n价基团或单键，R0各自独立地是碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基，前述烷基、前述烯基和前述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键，m1各自独立地是0～4的整数，此处，至少一个m1是1～4的整数，m2各自独立地是0～3的整数，n是1～4的整数，p各自独立地是0或1。)

公开(公告)号：CN107076763A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060722.9

申请日：2015-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·T·史密斯 ,  R·L·布鲁斯 ,  Y·A·阿斯迪尔 ,  王超 ,  B·H·万施

IPC: G01N33/68

CPC classification number: G01N15/10 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502753 ,  B01L2200/0652 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0809 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/12 ,  B01L2400/086 ,  B03B5/48 ,  B81B1/006 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0132 ,  B82B3/0014 ,  G01N2015/0065 ,  G01N2015/1006 ,  G01N2015/1081 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2037

Abstract: 提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体，以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。

公开(公告)号：CN102702073B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210129016.3

申请日：2008-04-24

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： 松本亮 ,  田边纯一 ,  仓久敏 ,  大和昌纪

IPC: C07D209/88 ,  C07D209/86 ,  C07D209/80 ,  C07D403/10 ,  C07D409/14 ,  C07D417/12 ,  C07D417/14 ,  C07D405/10 ,  C08F2/48 ,  C08F2/46 ,  C08F2/54 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02B5/20

CPC classification number: G03F7/027 ,  C07D209/80 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C07D403/10 ,  C07D409/06 ,  C07D409/14 ,  G02B5/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/30

Abstract: 本发明涉及一种肟酯光引发剂。本发明涉及式(I)、(II)和(III)的化合物，其中R1、R2、R′2和R″′2为例如C1-C20烷基，条件是R1、R2、R′2和R″′2中至少一个带有规定的取代基；R3、R4和R5例如彼此独立地为氢或限定的取代基，条件是R3、R4或R5中至少一个不是氢或C1-C20烷基；R6，R7，R8，R′7，RV，R′8，R″6，R″7，R″′6和R″′7例如彼此独立地具有对于R3、R4和R5给出的含义之一；R9为例如C1-C20烷基，其在光聚合反应中显示出非常好的性能。

公开(公告)号：CN104185816A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380015579.2

申请日：2013-03-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  坂本力丸 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26

CPC classification number: H01L21/0271 ,  C08G12/26 ,  C08G12/40 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

公开(公告)号：CN103733135A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280039340.4

申请日：2012-08-09

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 越后雅敏 ,  山川雅子

IPC: G03F7/038 ,  C07C37/20 ,  C07C39/14 ,  C07D311/96 ,  G03F7/004 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C37/20 ,  C07C39/14 ,  C07C39/17 ,  C07C39/225 ,  C07C2101/14 ,  C07C2103/18 ,  C07C2103/26 ,  C07C2103/50 ,  C07C2601/10 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/18 ,  C07C2603/26 ,  C07C2603/50 ,  C07D311/78 ,  C07D311/96 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/031 ,  G03F7/038 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/32 ,  G03F7/327 ,  G03F7/38 ,  C07C39/16

Abstract: 本发明涉及含有通式(1)或(2)所示的化合物的抗蚀剂组合物，使用其的抗蚀图案形成方法，用于其的多元酚化合物以及由其衍生而得到的醇化合物。(通式(1)以及(2)中，R1分别独立地为单键、或碳数1～30的2n价烃基，该烃基也可以具有环式烃基、双键、杂原子或者碳数6～30的芳香族基团，R2分别独立地为氢原子、卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的链烯基或羟基，在同一萘环中R2可以相同也可以不同，R2的至少1个为羟基，n为1～4的整数，式(1)以及式(2)的重复单元的结构式可以相同也可以不同，通式(1)中，m1分别独立地为1～7的整数，通式(2)中，X分别独立地为氧原子或硫原子，m2分别独立地为1～6的整数。)

公开(公告)号：CN103003055A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180028829.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 伊藤直人 ,  北田敏夫 ,  木口屋秀成

IPC: B29C59/04 ,  B29C33/38 ,  G03F7/20

CPC classification number: B29C33/3842 ,  B23K15/08 ,  B29C33/38 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/24 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/2025 ,  H01J2237/20271 ,  H01J2237/20285

Abstract: 本发明能够一边抑制成本增加一边抑制滚筒模具的向旋转轴方向的旋转偏摆引起描画图案变得不鲜明的情况。为了实现该目的，滚筒模具制作装置（1）包括：电子束照射装置（2）；掩模（3），该掩模具有使电子束的一部分透过的开口部，以形成同时在抗蚀剂上进行描画的多束电子束；使滚筒模具（100）绕旋转轴旋转的旋转驱动装置（4）；对滚筒模具（100）的向旋转轴（8）方向的旋转偏摆位移量进行检测位移量检测传感器（5）；控制装置（6）；以及致动器（7），该致动器（7）根据来自该控制装置（6）的控制信号使电子束的描画位置与滚筒模具（100）的向旋转轴（8）方向的位移随动，抑制滚筒模具（100）的向旋转轴（8）方向的旋转偏摆位移所导致的抗蚀剂的曝光位置的偏差。

公开(公告)号：CN102138106A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134242.7

申请日：2009-08-10

Applicant: D2S公司

Inventor： 藤村晶 ,  兰斯·格兰瑟 ,  三桥隆 ,  萩原和之

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F7/2037 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/68 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明公开了用于制造具有大量微小差别图案的表面的方法和系统。所述方法包括在模板掩模上使用字符组合，用于在表面上形成图案；和通过使用字符改变技术，减小发射数或总写入时间。还公开了上述方法应用于打碎、掩模数据准备或邻近效应校正。还公开了用于在表面上的图案的设计的光学邻近校正的方法，包括为衬底输入所期望的图案；和输入可以用于在表面上形成图案的字符组合，所述字符组合中的一些是复杂字符。还公开了产生图像字符的方法。

公开(公告)号：CN107848983A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042984.7

申请日：2016-07-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈田佳奈 ,  堀内淳矢 ,  牧野嶋高史 ,  越后雅敏

IPC: C07D233/64 ,  C07D405/04 ,  C08G8/36 ,  C08G16/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G16/0268 ,  C07B63/04 ,  C07D233/64 ,  C07D405/04 ,  C08G8/36 ,  C08G16/00 ,  C09D161/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

Abstract: 下述式(1)所示的化合物或树脂。(式(1)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或为无桥接，R1各自独立地选自由卤素基团、氰基、硝基、氨基、羟基、硫醇基、杂环基、碳原子数1～30的烷基、碳原子数2～30的烯基、碳原子数6～40的芳基、及它们的组合组成的组，其中，该烷基、该烯基及该芳基任选包含醚键、酮键或酯键，R2各自独立地为碳数1～30的烷基、碳数6～40的芳基、碳数2～30的烯基、硫醇基或羟基，此处，R2的至少1个为包含羟基或硫醇基的基团，m各自独立地为0～7的整数(其中，m的至少1个为1～7的整数。)、p各自独立地为0或1，q为0～2的整数，n为1或2。)