-
公开(公告)号：CN107209078B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201680006742.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/00 , B81C3/00 , G01C19/5783 , H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00357 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00293 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。
-
公开(公告)号：CN104245219B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201380019472.5
申请日：2013-04-25
Applicant: 美艾利尔圣地亚哥公司
Inventor： 诶瑞克·麦克·欧立松 , 简里森·阮卫尔 , 阿玛·德阮尔·图卫尔
IPC: B29C65/08 , B29C65/16 , B29C65/72 , B29C65/78 , B29C59/16 , B23K26/324 , B23K26/244 , B23K26/60 , B81C1/00 , B81C3/00
CPC classification number: B29C65/7855 , B23K26/244 , B23K26/324 , B23K26/60 , B23K2103/30 , B29C59/16 , B29C65/08 , B29C65/1606 , B29C65/1609 , B29C65/1612 , B29C65/1616 , B29C65/1632 , B29C65/1635 , B29C65/1654 , B29C65/1664 , B29C65/1677 , B29C65/1683 , B29C65/1696 , B29C65/72 , B29C66/0246 , B29C66/028 , B29C66/1122 , B29C66/21 , B29C66/232 , B29C66/234 , B29C66/24244 , B29C66/30223 , B29C66/3452 , B29C66/53461 , B29C66/71 , B29C66/73361 , B29C66/73921 , B29C66/8122 , B29C66/81267 , B29C66/836 , B29C66/9513 , B29C2035/0838 , B29C2791/009 , B29K2995/0027 , B29L2009/00 , B29L2031/756 , B81C1/00357 , B81C3/001 , B81C2201/0143 , B81C2201/019 , Y10T156/1039 , Y10T156/1064 , B29K2025/06 , B29K2069/00 , B29K2033/12 , B29K2067/00 , B29K2071/00 , B29K2909/08
Abstract: 本发明涉及接合材料的方法以及用该方法制造物品的工艺。本发明涉及一种用于接合第一基板和第二基板的工艺。该工艺包括用具有第一波长和足够强度的激光束辐射第一基板的部分来增强第一基板对具有不同于第一波长的第二波长的光线。激光束可以碳化第一基板的被辐射部分的至少一个部分，从而赋予其比第一基板的未被辐射部分具有更高的吸光度。然后放置第二基板与第一基板的被辐射部分相接触。用具有第二波长不同于第一波长并具有足够强度的第二激光辐射第一基板，从而加热，最好熔化，第一基板的被辐射部分。
-
公开(公告)号：CN104369543A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410393734.0
申请日：2014-08-12
Applicant: NLT科技股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1601 , B41J2/0455 , B41J2/0458 , B41J2/14016 , B41J2/14129 , B41J2/1626 , B41J2/1634 , B41J2002/14387 , B81C1/00357 , B81C1/00817 , B81C2201/0194 , C09K13/00
Abstract: 本发明提供喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备。制造方法包括：在基板上形成分离辅助层；在分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴；将分离辅助层从基板分离；在分离辅助层的与喷嘴相反的表面上形成第一热传导层；和形成墨供给口以将墨从喷墨打印头的第一热传导层侧供给到喷嘴。
-
公开(公告)号：CN102417154B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN103325740A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310095231.0
申请日：2013-03-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C3/001 , B81C2201/019 , H01L21/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106082108B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510736299.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/0292 , B81B2203/0109 , B81C1/00357 , B81C1/00801 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。
-
公开(公告)号：CN104603936B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201280075757.6
申请日：2012-07-11
CPC classification number: B81C1/00357 , B81B7/0006 , B81B7/0048 , B81B2201/0242 , B81C2203/032 , H01L23/13 , H01L24/32 , H01L2224/2919 , H01L2224/3224 , H01L2224/83385 , H01L2924/1461 , H01L2924/1515 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种装置包括半导体和衬底。衬底具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。衬底具有孔，所述孔从第一表面延伸到第二表面，并且半导体经由所述孔中的粘合剂固定到衬底。
-
公开(公告)号：CN107209078A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006742.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/00 , B81C3/00 , G01C19/5783 , H01L29/84
CPC classification number: B81C1/00357 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00293 , G01L9/0042 , G01L9/0051 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。
-
公开(公告)号：CN102414784B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080018540.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: H01L21/67092 , B81C1/00357 , B81C99/0025
Abstract: 本发明的多层接合方法包括：通过在接合腔室的内部将上基板和中间基板接合来制作第一接合基板的步骤；在该接合腔室的内部配置该第一接合基板时将下基板搬入该接合腔室的内部的步骤；通过在该接合腔室的内部将该第一接合基板和该下基板接合来制作第二接合基板的步骤。根据这样的多层接合方法，该上基板在与该中间基板接合后不用从该接合腔室取出就能够与该下基板接合。因此，能够快速地制作该第二接合基板，且能够低成本地制作。
-
公开(公告)号：CN103313794A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180057834.0
申请日：2011-11-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01L3/502707 , B01L2200/12 , B01L2300/0887 , B81B2201/051 , B81C1/00357 , B81C2203/036 , C03B23/245
Abstract: 用于密封玻璃微结构组件的方法的实施方式包括在基板上与玻璃微结构组件相邻提供一个或多个侧保持器构件，该侧保持器构件的高度小于玻璃微结构组件限定的未压缩的高度。该方法还包括在加热玻璃微结构组件和顶板至玻璃密封温度的同时，通过与玻璃顶层紧密接触的负载顶板压缩玻璃微结构组件，玻璃密封温度是足以使玻璃变粘的温度，其中玻璃微结构组件被压缩，直到负载顶板接触侧保持器构件，并且在玻璃密封温度下，负载顶板由侧保持器构件支撑的同时，该顶板的下表面保持粘附在玻璃顶层的上表面上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.012 seconds)
