感测流体介质压力的压力传感器和其制造方法

    公开(公告)号:CN107870054A

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201710859906.2

    申请日:2017-09-21

    Inventor: D·埃特

    Abstract: 本发明涉及一种用于感测测量室中的流体介质的压力的压力传感器(10)和一种用于制造该压力传感器的方法。所述压力传感器包括压力接头(12)和用于感测流体介质的压力的传感器元件(24),借助于压力接头能够将压力传感器(10)安装在测量室上或安装在该测量室中。在压力接头(12)中构造有输入通道(18)。传感器元件(24)布置在衬底(20)上。输入通道(18)由衬底(20)来封闭并且构造用于将流体介质输入至传感器元件(24)。压力接头(12)和衬底(20)一件式地构造,并且传感器元件(24)被印刷到衬底(20)上。

    压力传感器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105899924A

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201480067523.6

    申请日:2014-11-14

    CPC classification number: G01L9/0072 G01L9/0051

    Abstract: 一种压力传感器(1),包括可根据压力变形的测量隔膜(2)和以压密方式相互连接并且形成测量腔(5)的配合体(3),在测量腔(5)中提供参考压力,其中压力可以施加到测量隔膜(2)的外侧,其中压力传感器(1)具有电容变送器,电容变送器具有至少一个配合体电极(8,9)和至少一个隔膜电极(7),其中对压力限制值以上的压力,至少所述测量隔膜(2)的中心表面部分以接触面积(A(p))抵靠配合体,该接触面积的尺寸依赖于所述压力,其中压力传感器还具有电阻变送器,用于当在高于压力限制值的数值范围内压下时,使用依赖于所述测量隔膜(2)在所述配合体(3)上的接触面积的电阻值,将所述测量隔膜的压力相关变形转换为电信号。

    一种MEMS压力传感元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104897333A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510367571.3

    申请日:2015-06-29

    Inventor: 郑国光

    CPC classification number: G01L9/0051 G01L9/0064 G01L9/02 G01L2009/0066

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感元件,包括:设有凹槽的基底;设置于基底上方的压力敏感膜,压力敏感膜密封凹槽的开口以形成密封腔体;悬置于密封腔体内的平行于压力敏感膜的压力敏感梁,其上设置有压敏电阻;压力敏感梁的中心与压力敏感膜的中心固定连接,外周与基底凹槽的底壁固定连接,以使压力敏感膜在外界压力作用下带动压力敏感梁弯曲变形。本发明还公开了一种MEMS压力传感元件的制造方法。本发明的MEMS压力传感元件,压力作用在压力敏感膜上时,压力敏感膜带动压力敏感梁运动引起压力敏感梁的弯曲,继而引起压力敏感梁上的压敏电阻的阻值的变化,这样既完成压力敏感的功能,又屏蔽了外界对压力传感元件的电学部分的电磁干扰。

    压力传感器装置以及电子设备

    公开(公告)号:CN103822749A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201410106439.2

    申请日:2010-07-12

    Abstract: 半导体压力传感器(720)包括对与薄壁区域(402)对应的半导体基板的部分赋予变形的薄膜压电元件(701)。薄膜压电元件(701)从具有作为变形计功能的扩散电阻(406、408、410、及412)隔开距离地形成,延伸设置到连接到薄膜压电元件的上部电极层的焊盘(716A)以及连接到下部电极层的焊盘(716F)附近为止。扩散电阻(406、408、410、及412)通过金属布线(722)和扩散布线(724)构成桥式电路。在自身诊断时,薄膜压电元件(701)上被施加规定电压。如果电压施加前后的桥式电路的输出差在规定的范围外,则判断为在半导体压力传感器(720)上产生了损坏。

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