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公开(公告)号：CN113851326B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110691163.9
申请日：2021-06-22
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够缓和由温度变化引起的内部应力的电子部件。电子部件(1)具备：平坦化层(3)，覆盖基板(2)的表面；导体层(M1)，设置于平坦化层(3)上，包含下部电极；电介质膜(4)，由与平坦化层(3)不同的材料构成，覆盖平坦化层(3)及导体层(M1)；上部电极，经由电介质膜(4)层叠于下部电极；以及绝缘层(I1)，覆盖导体层(M1)、电介质膜(4)以及上部电极。绝缘层(I1)的外周部不经由电介质膜(4)而与平坦化层(3)相接。这样，由于绝缘层(I1)的外周部与平坦化层(3)相接，因此作为平坦化层(3)的材料，通过选择相对于绝缘层(I1)的密合性比电介质膜(4)低的材料，能够在该部分释放由温度变化引起的内部应力。
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公开(公告)号：CN101026155B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200710084174.0
申请日：2007-02-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L27/016 , H01L27/12
Abstract: 薄膜器件；薄膜器件具有：衬底；在该衬底上依次层叠的绝缘层、下部导体层、电介质膜、绝缘层、上部导体层以及保护层；四个端子电极。四个端子电极与上部导体层端面的一部分、以及与该端面连续的上部导体层上表面的一部分接触。保护膜具有4个凹部。这些凹部为从保护膜的外缘中与这些凹部对应的部分以外的部分向内侧凹陷的形状，并使上部导体层上表面的与四个端子电极接触的一部分露出。四个凹部放置四个端子电极的一部分。
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公开(公告)号：CN101325121B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810092374.5
申请日：2008-04-24
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 桑岛一
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L27/0688 , H01L2224/02371 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种电子元件及其制备方法。该电子元件设置有第一导体；用于覆盖第一导体的表面的绝缘体；贯穿绝缘体的通孔；位于所述绝缘体的表面上并且通过所述通孔与所述第一导体电连接的第二导体；以及包括具有导电性的防护膜，所述防护膜被插入在所述第一导体和第二导体之间，并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到通孔的内壁表面，覆盖介于所述第一导体和在通孔内的绝缘体之间的界面。
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公开(公告)号：CN100527922C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200610078609.6
申请日：2006-04-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B37/0007 , B32B37/0046 , B32B2457/08 , H05K3/4652 , H05K2201/0358 , H05K2203/068
Abstract: 本发明公开了一种层叠基板制造方法。在压制工艺中，将缓冲件设置在RCC上并在它们之间设置不锈钢板，使得该缓冲件的长边和短边分别与RCC的长边和短边对准。将该缓冲件的长边和短边的长度分别设计成等于或短于RCC的长边和短边的长度。通过此特征，能够减少在将RCC压制在核心件上时在周边区域内形成的RCC上的凸起。
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公开(公告)号：CN101026155A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084174.0
申请日：2007-02-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L27/01
CPC classification number: H01L27/016 , H01L27/12
Abstract: 薄膜器件具有：衬底；在该衬底上依次层叠的绝缘层、下部导体层、电介质膜、绝缘层、上部导体层以及保护层；四个端子电极。四个端子电极与上部导体层端面的一部分、以及与该端面连续的上部导体层上表面的一部分接触。保护膜具有4个凹部。这些凹部为从保护膜的外缘中与这些凹部对应的部分以外的部分向内侧凹陷的形状，并使上部导体层上表面的与四个端子电极接触的一部分露出。四个凹部放置四个端子电极的一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1771768A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480005024.0
申请日：2004-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H05K3/28
CPC classification number: H05K3/4647 , H05K2203/066 , H05K2203/1189 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158
Abstract: 对由布线图形与柱状导体组成的导体部从上方贴合具有树脂的绝缘片。然后通过向以前述柱状导体为止动器的前述绝缘片的加压与加热用树脂覆盖前述柱状导体而形成以前述柱状导体的高度为基准的一定厚度的层。通过这种电子部件的制造方法，设置位于部件形成区域的外方的突起部，以此为基准，以包括该突起部的区域内的导体部占有率为基准计算所需的前述树脂的量，根据该树脂的量设定前述绝缘片的厚度。
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公开(公告)号：CN113141701B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110061537.9
申请日：2021-01-18
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中，提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1～M4)以及多个绝缘层(11～14)。多个绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有比基板(2)的侧面(2s)更后退的凹部(11a～14a)和从凹部(11a～14a)突出的凸部(11b～14b)。凹部(11a)被由无机绝缘材料构成的电介质膜(4)覆盖。这样，由于绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有凹凸形状，因此侧面(11s～14s)的露出面积增加。由此，能够提高从侧面(11s～14s)的散热性。而且，能够通过设置于凹部(11a)的电介质膜(4)提高刚性，并且能够保护绝缘层(11)。
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公开(公告)号：CN110349927B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201910271674.8
申请日：2019-04-04
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 一种防止籽晶层的破坏引起通孔导通不良的多层配线结构体，具备：导体图案(P1a)，设于配线层(L1)并包含主导体层(13)；层间绝缘膜(61)，覆盖配线层(L1)，具有露出导体图案(P1a)一部分的开口部(61a)；导体图案(P2a)，设于配线层(L2)并经开口部(61a)与导体图案(P1a)连接。导体图案(P2a)包含与层间绝缘膜(61)相接的籽晶层(21、22)和设于籽晶层(21、22)由与主导体层(13)相同的金属材料构成的主导体层(23)。籽晶层(21、22)在开口部(61a)的底部被部分地除去，由此在开口部(61a)的底部主导体层(13)和主导体层(23)不经籽晶层(21、22)相接。主导体层(13)和主导体层(23)具有直接接触的部分因而通孔不会导通不良。
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公开(公告)号：CN101067985B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710102992.9
申请日：2007-05-08
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 桑岛一
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/252 , H01L27/016 , H01L28/40 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明目的在于提供能高精度地获得电容元件的电容值的电子器件。该电子器件(1)具有形成在衬底(51)的平坦化层(52)上的下部导体(第1导体)(21)、形成在下部导体(21)上的介质膜(31)及形成在介质膜(31)上的、比下部导体(21)薄的上部导体(第2导体)(23)。电容元件(11)由下部导体(21)、介质膜(31)及上部导体(23)构成。
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