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公开(公告)号:CN116130458A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202310003789.5
申请日:2023-01-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L21/48 , H01L23/492
Abstract: 本发明公开了一种预制垂直模通孔模封互连基板结构及制造方法,属于微电子制造技术领域,通过在两个外金属键合垫上均设若干个金属球,并将若干个金属球自下而上依次堆叠设置,形成预制垂直堆叠金属球模通孔,取代现有的激光打孔再填空或掩模光刻后电镀制备垂直模通孔,不容易产生翘曲;对内金属键合垫、重布线路及芯片结构之间注塑,形成基板结构,再将若干个基板结构自下而上依次设置,在最下边一个基板结构的感性树脂胶黏层下表面上植钎料焊球,得到互联基板,能够解决制备模通孔可靠性低的问题。因此,本发明提出的互连基板能够解决现有技术中铜柱过高容易产生翘曲,可靠性低的问题,在微电子制造技术领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号:CN114050136A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111264702.7
申请日:2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种芯片焊盘植球整平及二次焊接的方法,通过引入植球整形工艺方法,实现二次焊接时引线与植球顶端的平整界面鱼尾键合;本发明改变现有技术中针对多个芯片焊盘二次焊接的焊接工艺顺序,采取集中植球,集中尖帽状焊球压平整形,集中二次焊接的工艺顺序,提升植球形貌的一致性,有助于提升二次焊接过程的稳定性。针对采用芯片焊盘二次焊接工艺的电子器件,提升焊接过程中的一致性,降低焊接过程中鱼尾翘丝、鱼尾键合后缩丝等异常,提高芯片焊盘二次焊接的强度可靠性,对多芯片互连、叠层芯片互连、复杂布线情况下框架载体与芯片反向焊接等情况,具有高良率、高效率、高焊接强度等优点。
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公开(公告)号:CN113410143A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110662016.9
申请日:2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种面板式塑封模具及其封装方法,包括上模和下模,上模和下模相互拼接形成塑封模具,塑封模具内部设置有塑封模具腔体,塑封模具腔体设置在上模和下模的连接部位,塑封模具上设置有注塑流道,注塑流道连通塑封模具腔体;塑封模具腔体为面板式腔体,塑封模具腔体用于放置已键合芯片的引线框架。方法包括将设置有已键合芯片的引线框架放置在塑封模具的塑封模具腔体中;注塑杆将流动的塑封料注塑至塑封模具腔体中;注塑固化后形成面板塑封体,通过塑封压机将塑封模具打开,取出注塑固化后的引线框架,将采用塑封模具注塑后的引线框架,放置于激光头下,保留芯片塑封体的区域,对非芯片塑封体区域进行激光刻蚀去除,完成封装。
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公开(公告)号:CN111987069A
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN202010889854.5
申请日:2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本发明一种锁胶阵列引线框架及其在芯片封装件中的应用,该引线框架的衬底表面均匀开设有若干个锁胶孔,锁胶孔之间未开设孔洞的区域用于引线键合。该引线框架在应用时,包括步骤1,将芯片的晶圆减薄,之后背面粘贴DAF膜;步骤2,将芯片粘接在引线框架衬底上;步骤3,对待键合电路进行清洗,将芯片与衬底、芯片与引脚、衬底与引脚,或者芯片之间进行引线键合,得到键合后的电路;步骤4,对键合后的电路进行等离子清洗,之后用塑封料进行塑封,塑封料嵌入到锁胶孔中,形成塑封体,将塑封体进行固化,之后依次进行电镀锡、激光打标、切筋成型,得到单芯片封装件,塑封料贯穿锁胶孔,起到钉扎强化与阻止离层蔓延的作用,提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号:CN115985860A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211628463.3
申请日:2022-12-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种塑封器件外引线封装结构及返镀方法,包括:基板上设置有塑封器件;基板固定在引线框架上;塑封器件包括外引线;外引线为若干根,对称排列在塑封器件的两侧;塑封器件通过金属丝缠绕固定在基板上;金属丝固定基板在引线框架上,实现塑封器件外引线与引线框架的导通互连。本发明避免了滚筒返镀方法中塑封器件在翻滚、跌落过程中产生的表面划伤、外引线变形损伤等问题,提高了塑封器件外引线返镀的质量和良率。
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公开(公告)号:CN114975135A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210744304.3
申请日:2022-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于半导体封装测试领域,具体涉及一种内置元器件的封装方法。将元器件表贴在基板上形成封装体内第一层电路,回流焊后,在所选芯片粘接区域点灌封胶,使灌封胶覆盖芯片粘接区域,根据情况确定是否需要在灌封胶顶部使用整平垫,根据芯片是否要与衬底导通选择导电整平垫或绝缘整平垫,若选择导电整平垫,则需要给整平垫上预留引线键合位置;使用烘箱或压力烘箱固化灌封胶后,在灌封胶顶部或整平垫上粘贴芯片,进行引线键合及后续生产工艺。对于使用引线键合作为内部互连方式的SIP产品,充分利用芯片粘接区域的基板空间来实现内置元器件的表贴,减少基板面积,提高产品的集成度。
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公开(公告)号:CN111613543A
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN202010470010.7
申请日:2020-05-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种预防芯片焊盘裂纹的铜丝球焊方法,所述方法包括如下步骤,步骤1,在框架载体或夹具的芯片区域外的剩余表面固定陶瓷片,得到铜焊球的焊点成型目标平面;步骤2,先将铜焊球移动到铜焊球的焊点成型目标平面的陶瓷面上,再将铜焊球在所述的陶瓷面上进行焊点成型过程,焊点成型完成后,底部被压平的铜焊球离开陶瓷面的表面;步骤3,将底部被压平的铜焊球转移到焊盘上方进行界面键合过程,完成焊盘上的铜丝球焊。本发明将焊点成型段从焊盘铝层表面移植到陶瓷表面,之后将铜焊球的焊点成型段与后续键合段从空间上实现分离,能够提升铜焊球底面平整度,进而有利于降低焊点键合过程打裂焊盘的风险。
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公开(公告)号:CN112951731A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202110137108.5
申请日:2021-02-01
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种芯片倒装封装的方法,包括:对芯片开窗焊盘上的每个圆弧状凸点施加向下的压力,使每个圆弧状凸点变形为腰鼓状凸点,且使得每个腰鼓状凸点的上端面位于同一水平面;提供一基板,所述基板上设置有与芯片开窗焊盘一一对应的基板开窗焊盘;将带有腰鼓状凸点的芯片倒扣在基板上,使芯片开窗焊盘上的腰鼓状凸点与基板开窗焊盘一一对应;将一一对应的腰鼓状凸点与基板开窗焊盘进行回流,通过回流使每个腰鼓状凸点与对应的基板开窗焊盘连接,实现芯片与基板相连。本发明能够控制凸点高度的均匀性好,凸点高度可精准控制,改善超大规模集成电路倒装封装控制稳定性差、一致性不好、间隙精确控制困难和I/O输出端口密度低的问题。
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