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公开(公告)号：CN117174585A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311139992.1
申请日：2023-09-05
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明提出一种改善注锑后外延层错缺陷的退火方法，在外延淀积工艺前对注锑衬底进行二步退火工艺处理，具体的，在一步升温采用的气氛为纯氧气、一步退火前期采用的气氛为纯氧气，当氧化层厚度达到设定值后改用纯氮气，二步退火升温、二步退火采用气氛为纯氮气。本发明优化了退火过程中的升温过程的气氛环境，纯氧气氛作为退火升温过程的气氛环境，以降低锑注入区域的硅晶格缺陷密度，进而降低外延后锑注入区域缺陷，经过本发明退火处理的注入区域在外延工艺后，极大降低了层错密度，提高了半导体器件性能及成品率。
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公开(公告)号：CN111519245B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010357763.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。
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公开(公告)号：CN111519245A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010357763.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。
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