公开(公告)号：CN118706305A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410755465.1

申请日：2024-06-12

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张雁斌 ,  葛洪磊 ,  刘如征 ,  苗立新 ,  王琰

IPC: G01L5/00

Abstract: 本发明公开一种LPCVD薄膜应力计算方法及系统，通过测量基板的厚度、两侧均淀积有LPCVD薄膜的基板的曲率和薄膜的厚度，通过计算得到LPCVD薄膜的应力，与传统的LPCVD薄膜应力计算方法相比，本发明降低了薄膜应力测试过程中经受热过程后产生的基板曲率变化的问题，不同于传统测试方法需在薄膜淀积前后在量测机台测试基板曲率变化的问题，新方法仅在薄膜形成后进行测试，量测设备状态不影响淀积系统。提高了双层薄膜应力测试的便捷性。

公开(公告)号：CN117174585A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311139992.1

申请日：2023-09-05

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张雁斌 ,  葛洪磊 ,  陈宝忠 ,  刘如征 ,  苗立新 ,  柏伟东 ,  白帅

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明提出一种改善注锑后外延层错缺陷的退火方法，在外延淀积工艺前对注锑衬底进行二步退火工艺处理，具体的，在一步升温采用的气氛为纯氧气、一步退火前期采用的气氛为纯氧气，当氧化层厚度达到设定值后改用纯氮气，二步退火升温、二步退火采用气氛为纯氮气。本发明优化了退火过程中的升温过程的气氛环境，纯氧气氛作为退火升温过程的气氛环境，以降低锑注入区域的硅晶格缺陷密度，进而降低外延后锑注入区域缺陷，经过本发明退火处理的注入区域在外延工艺后，极大降低了层错密度，提高了半导体器件性能及成品率。