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公开(公告)号：CN118963213A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043518.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05B19/042 , F25B9/14 , F25B49/00
Abstract: 本发明公开了一种旋转式斯特林制冷机控制电路，包括二极管恒流源偏置电路、二极管信号采集电路、模数转换电路、数字DSP控制电路、三相桥及其驱动电路；旋转式斯特林制冷机内的二极管阳极D+和二极管阴极D‑与二极管恒流源偏置电路以及二极管信号采集电路连接，二极管信号采集电路输出的冷头温度信号模拟量AD_Td为模数转换电路的输入，模数转换电路输出的冷头温度信号数字量AD_DATA为数字DSP控制电路的输入，数字DSP控制电路的输出与三相桥及其驱动电路连接，三相桥及其驱动电路的三相输出与旋转式斯特林制冷机连接，通过高精度的二极管信号采集电路、模数转换电路、数字DSP控制电路使控温精度达到±0.03k，在‑55℃～125℃温度范围内实现±0.1k的控制温漂。
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公开(公告)号：CN118937769A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411033830.4
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/00 , G01R31/327 , G01R3/00
Abstract: 本申请公开了一种多路抗辐照高精度开关状态电压检测电路，属于混合集成电路技术领域，包括：若干路抗辐照电子开关，每路抗辐照电子开关由输入控制电路、功率输出电路、开关状态电压检测电路组成；输入信号进入输入控制电路进行扩流，进而控制功率输出电路的开通与关断，功率输出电路通过电阻分压，产生开关状态电压经反相器处理后产生用于监测电子开关通断的遥测电压信号。采用抗辐照集成芯片和抗辐照加固技术，利用厚膜混合集成电路工艺对多路开关状态电压检测电路进行小型化集成设计；电路自主设计线路，通过采用精密基准源、反相器、高精度薄膜电阻网络等，每路电子开关可实现全温度范围内的开关状态电压检测精度小于±1％；电路结构简单、成本低，无需在电路中附加复杂的线路结构即可实现多路开关状态电压的检测，具有成本低，通用性强，产品自主可控的优势。
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公开(公告)号：CN117727641A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311618502.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子领域，涉及一种抗高过载的智能驱动微电路模块的封装方法。本发明方法在基板上进行混合微电路的再流焊。在含有混合微电路的基板背面进行裸芯片的粘接。进行裸芯片与基板的键合。采用环氧树脂对裸芯片进行局部灌胶封装，使用环氧树脂对智能驱动模块进行封装加固，可提高智能驱动模块整体的可靠性和抗高过载能力。将含有裸芯片混合微电路的基板固定在底壳上，提高了智能驱动模块的强度和可靠性。对裸芯片混合微电路和底壳进行整体的真空灌封，将盖板固定在底壳上，采用真空灌封方法固化智能驱动模块后，外壳、裸芯片混合微电路、基板和灌封胶成为一个整体，增加基板的受力面积，大大提高了智能驱动模块的抗冲击性能。
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公开(公告)号：CN117270121A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311414160.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种光电转换模块，包括：光电转换电路组件，其包括电路板、设置于电路板上端面的金属框以及位于金属框内的光电转换电路；透光及限位组件，其包括密封盖设在金属框顶部的金属盖板以及设于金属盖板上端面的限位框，金属盖板上装设有位于限位框内的透光片，透光片底面贴设有与光电转换电路的光信号收发模块正对的透镜阵列；导光组件，其包括匹配设置在限位框内的限位块，限位块上装设有反光棱镜和光纤阵列，反光棱镜与透光片正对设置，光纤阵列与反光棱镜的光路对接。本发明的目的在于解决现有气密光电转换模块存在的气密封装复杂且难度较大，光纤不可取卸，模块无法过回流焊的问题。
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公开(公告)号：CN117192702A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311155337.5
申请日：2023-09-07
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种并行多模光电混合集成组件，属于光电数字收发混合集成设计技术领域，本组件采用了双面腔体结构设计，正面盖板与基板之间为第一腔体，用于容纳光电转换单元；基板的底部开设了盲腔，即与背面盖板形成第二腔体，用于容纳控制单元；采用上述的结构设计，提升了集成能力；缩小了尺寸，采用了AlN基板，保证了组件的散热性能，从而保证了本组件的可靠性；采用本组件可以大大减小系统热阻、体积、重量，同时提高系统中宽带数据和图像传输的性能和可靠性，应用前景和市场潜力非常广阔，具有重要的战略意义和社会效益。具有结构简单、功能丰富、集成度高、工作温度范围宽、可靠性高等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119290216A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411374639.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种两线制压力传感器及其集成方法，旨在于解决传统两线制压力传感器体积大、可靠性低、易受干扰、集成度低的技术问题。一种两线制压力传感器，包括金属外壳管座和金属盖板，金属外壳管座固定有引线柱、多层陶瓷基板、压力芯体和导热基板；导热基板上设置有三极管；多层陶瓷基板上固定有调理芯片、表贴电容和表贴电阻，调理芯片上固定有电源芯片。一种两线制压力传感器集成方法，包括元器件的固定以及多层陶瓷板与金属外壳管座的组装、元器件之间的连接、结构的封装。本发明所述的集成方法及压力传感器高度集成化，信号传输稳定，易于制造及维护。
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公开(公告)号：CN118707308A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410682208.X
申请日：2024-05-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/327 , G01R1/20 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种双向直流固态功率控制器开关状态检测电路和方法，包括功率管驱动模块、开关状态检测单元、光电耦合器U1、功率管Q1、功率管Q2和采样电阻RS；功率管Q1的栅极和功率管Q2的栅极连接前级功率管驱动模块，功率管Q1的源极和功率管Q2的源极分别连接采样电阻RS的两端，功率管Q1的漏极分别连接功率输入端/输出端和开关状态检测单元的输入端；功率管Q2的漏极分别对应连接母线和功率输入端/输出端和开关状态检测单元的输入端；开关状态检测单元的输出端连接光电耦合器的输入端，光电耦合器根据开关状态检测单元的反馈进行开关状态指示。本发明中的双向直流固态功率控制器开关状态检测电路，成本低，可靠性高，适用范围广。
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公开(公告)号：CN118572990A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410682227.2
申请日：2024-05-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有双向直流高压大电流检测功能的固态功率控制器，包括电源隔离转换模块、功率管驱动模块、功率开关模块、高共模采样模块、隔离控制电路、比例放大和绝对值运算模块、开关状态检测模块、短路保护及状态指示模块；通过采用混合集成设计技术，对具有电气隔离的双向直流高压大电流检测功能的固态功率控制器进行小型化集成。电路的信号控制端与功率端通过光电耦合器实现电气隔离，具备开关通断控制功能，双向短路快速保护功能，短路保护点可调功能，开关和保护状态检测反馈等功能，尤其是电压高、电流大的双向电流检测功能可广泛应用于电池系统中具有双向蓄电池管理检测需求的场合中。
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公开(公告)号：CN113984251B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111249438.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明一种硅压阻式压力传感器的调试方法，通过在不连接引线的传感器半成品上，集成一个具有四个电阻的电阻网络，在四个电阻背面开腔，当压力作用在腔体背面时，电阻阻值会发生变化，网络的输出也会发生变化，在电阻网络外部并联厚膜电阻RT1，使得传感器半成品的零位电压稳定，之后在传感器半成品的两个之间加入电阻RT2，用以对温度系数产生电路的影响进行补偿；分别计算每只电阻所适用的厚膜电阻RT1和电阻RT2，并完成组装，在晶圆上距离圆心位置相同的电桥芯片的零位及温度特性类似，将晶圆上的芯片进行分类，进行批量厚膜电阻调值，随后进行匹配，组装成成品测试，能够批量化的解决芯片组装完成后，零位电压、温度特性差异较大的问题。
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公开(公告)号：CN115632553A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211348845.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种快速导通的高压驱动半桥电路，包括NMOS管驱动电路、PMOS管驱动电路和功率半桥驱动电路；PMOS管驱动电路为VIN输入到NMOS管T3栅极，源极接地，漏极接J型场效应管T4源极，漏极接V2，栅极分别与NMOS管T5、PMOS管T6栅极相连，由二极管Z1接V2；NMOS管T5与PMOS管T6源极接PMOS管T7栅极，NMOS管T5漏极和PMOS管T7源极接V2，PMOS管T6漏极和NMOS管T8源极接地；PMOS管T7与NMOS管T8漏极相连，PMOS管T7漏极为输出。通过常规元器件驱动PMOS管，无需计算电阻的功耗更改阻值，省略专用的带电荷泵自举的栅极驱动，简化了电路结构。
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