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公开(公告)号:CN115632553A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211348845.0
申请日:2022-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种快速导通的高压驱动半桥电路,包括NMOS管驱动电路、PMOS管驱动电路和功率半桥驱动电路;PMOS管驱动电路为VIN输入到NMOS管T3栅极,源极接地,漏极接J型场效应管T4源极,漏极接V2,栅极分别与NMOS管T5、PMOS管T6栅极相连,由二极管Z1接V2;NMOS管T5与PMOS管T6源极接PMOS管T7栅极,NMOS管T5漏极和PMOS管T7源极接V2,PMOS管T6漏极和NMOS管T8源极接地;PMOS管T7与NMOS管T8漏极相连,PMOS管T7漏极为输出。通过常规元器件驱动PMOS管,无需计算电阻的功耗更改阻值,省略专用的带电荷泵自举的栅极驱动,简化了电路结构。
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公开(公告)号:CN119323204A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202411432012.1
申请日:2024-10-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G05B17/02 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及器件建模仿真领域,具体涉及一种基于寄生参数的三相电机功率驱动模块的SPICE模型建立方法、系统、设备及存储介质。包括以下步骤:S1、构建栅极驱动器的模型以及功率MOSFET模型,结合得到三相电机功率驱动模块模型;S2、基于三相电机功率驱动模块建立封装结构,基于封装结构提取寄生参数;本发明以器件电学特征为核心进行行为级建模,有效规避了复杂功率模块建模在收敛性、准确性和仿真效率方面的矛盾,将仿真效率提升一个数量级以上,为产品设计的快速迭代优化提供了条件;本发明建立的模型仿真结果与实际测试结果进行对比,电参数精度较高,仿真误差小于10%,表明所建立的仿真模型能够准确的描述模块实际特性。
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公开(公告)号:CN118783949A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410861491.2
申请日:2024-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种敏感电路及基于敏感电路的电子系统抗辐照加固方法,属于半导体集成电路技术领域。包括依次连接的探测电路、计时电路和放大电路;所述探测电路包括外接有探测电压Vcc1的第一探测电阻R1,所述第一探测电阻R1经过探测二极管D1连接有并联的第二探测电阻R2、第一探测电容C1和第三探测电阻R3;所述第三探测电阻R3串联有第二探测电容C2,所述第二探测电容C2的负极连接有第一三极管Q1的基极;本发明提出的基于敏感电路的电子系统抗辐照加固方法更灵活、简单、成本低,可有效提高电子系统抗辐照能力,在辐照环境下工作的电子系统中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN110224586A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201910574987.0
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于电荷泵的高压驱动电路,结构简单,设计合理,能够提供连续稳定的高压浮动电源,很好地实现电机驱动器的持续高压驱动。其包括依次连接的电荷泵电路、电平转换电路和MOSFET关断电路;所述的电荷泵电路用于根据连接的功率电源VP输出高于功率电源VP且连续稳定的浮动电源;所述的电平转换电路用于根据连接的高压控制信号VIN,将接入的浮动电源转化为高压驱动电压;所述的MOS关断电路用于接入高压驱动电压对输出端连接的VDMOS进行驱动和保护。
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公开(公告)号:CN119197600A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411286324.6
申请日:2024-09-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于传感器信号放大技术领域,公开了一种振动筒压力传感器信号放大电路及振动筒压力传感器,包括包括滤波电路、增益调节电路、相位调节电路、限幅电路、频率检测电路和温度检测电路,拾振信号V1N经滤波电路得到正弦信号VA,再经过增益调节电路,实现一定增益的幅度调节,得到增益放大信号VB,分别输入给相位调节电路和频率检测电路,相位调节电路输出方波信号VC,输入到限幅电路,限幅电路输出限幅方波信号VD,加载在振动筒上,增益调节电路输出的增益放大信号VB经过频率检测电路,输出方波频率信号VO,构成一个闭环控制系统实现谐振筒压力传感器的驱动与检测,振动筒筒体的实际频率取决于所感受到的压力。
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公开(公告)号:CN118399803A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410691540.2
申请日:2024-05-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02P6/20 , H02P6/24 , H02K29/08 , H02K11/215 , G05B19/042
Abstract: 本发明公开一种无刷直流电机驱动器的三相霍尔信号解码电路及方法,通过将三相电机霍尔信号输入至异或门中,二输入与门和三输入与门的输入直接与异或门的输出连接,二输入与门的另一路输入为反相器的输出,其中,反相器的输入与异或门的输出连接,三输入与门同理,三输入与门的最后一路输入为PWM控制信号,本发明实现了三相电机霍尔信号的解码,与DSP相比,成本低,结构简单,易于实现,可显著降低系统的成本。
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公开(公告)号:CN117074910A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311040364.8
申请日:2023-08-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及功率驱动电路的功率老炼技术领域,用于航天及武器系统方面基于混合集成电路工艺的三相桥功率驱动电路的功率老炼方法,公开了一种三相桥功率驱动电路的老炼装置及方法,通过将老炼单元组与时序老炼信号源依次连接,老炼单元组包括若干老炼单元,若干老炼单元的信号输出端分别并联在功率电源和地之间,使得老炼单元能够对功率电源进行有效分配,同时再通过时序老炼信号源控制若干老炼单元按照一定的时序依次导通工作,对于相同电量,可依次分配给若干老炼单元进行导通,有效的降低了耗电量,使得在相同数量的电源设备下,可使老炼能力增大,解决传统稳态老炼方法存在的耗电量大、生产成本高的问题。
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公开(公告)号:CN116632783A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310602666.3
申请日:2023-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种无刷直流电机驱动器过流保护电路,包括三相功率桥、过流保护电路和高压驱动电路;所述过流保护电路包括采样电路、放大部分和比较部分,所述采样电路一端接地,另一端分别连接三相功率桥的源极、放大部分,放大部分连接比较部分,比较部分的输入端连接高压驱动电路的SD端,比较部分的输出端连接三相功率桥;本申请过流保护电路具有快速响应的特点,从采样电阻采样电流到过流响应关断输出,响应时间可以设计在15uS以内,实现极限大电流下短路保护、快速关断功率管输入信号,提高使用可靠性;能在电机长时间堵转和电机负载异常增大的情况下可靠关断,保护功率器件和电机;电路结构简单,采用常用的驱动器进行设计,易于实现。
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公开(公告)号:CN110176879B
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN201910576027.8
申请日:2019-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H02P6/08
Abstract: 本发明一种抗辐照高压驱动电路,包括电平转换单元和驱动单元;电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1;驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片;输入信号VIN经电阻R1分别与N沟道VDMOS T1的栅极和双极NPN晶体管Q1的集电极相连;N沟道VDMOS T1的源极和双极NPN晶体管Q1的基极与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端和双极NPN晶体管Q1的发射极连接地;N沟道VDMOS T1的漏极连接驱动芯片的输入端;电源电压VDD连接二极管D1的阳极,二极管D1的阴极连接电容C1的一端、电阻R3的一端及驱动芯片的VDD端。
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公开(公告)号:CN118393213A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410540706.0
申请日:2024-04-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明提供一种DC/AC变换器的正弦交流信号幅度检测电路,包括包括变换器DC/AC,所述变换器DC/AC输入端接入直流电VIN,输出端输出正弦交流电VO,正弦交流电VO输入正弦交流信号幅度检测电路;所述正弦交流信号幅度检测电路包括连接正弦交流电VO的移相器U1和乘法器U2,所述移相器U1经乘法器U3接入加法器U4,所述乘法器U2接入加法器U4;所述加法器U4经电阻R12连接运算放大器U8的反相端及电阻R13和电容C2的一端,电阻R13和电容C2的另一端连接运算放大器U8的输出端,运算放大器U8的同相端接基准电压VREF并接入变换器DC/AC;本申请不使用平滑电容,反馈环路的时间常数保持不变,延时时间短、响应速度足够快;同时本申请可以在很大程度上消除或减小幅度检测信号的波动。
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