公开(公告)号：CN113782454A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111045874.5

申请日：2021-09-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈中洲 ,  张波 ,  王子相

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明公开了一种实现无预镀层引线框架表面引线键合的方法，属于半导体集成电路封装测试领域。包括：对无预镀层引线框架载体进行去氧化处理；通过电火花将金线熔融成金球；通过键合压力将金球压扁于引线框架载体表面使金焊球成型；通过超声电流使成型的金焊球与引线框架载体表面生成金属间化合物，形成键合界面；将金线沿金焊球尾部切断，在引线框架载体表面上载体地线键合点或引线框架内引脚键合点形成金焊球；在预植好金焊球的引线框架载体完成上芯固化；进行芯片焊盘、引线框架载体以及引线框架内引脚的引线键合；其中，无预镀层区域引线键合在预植的金焊球上。本发明所述方法使无预镀铜引线框架表面可实现引线键合，提高塑封产品的可靠性。

公开(公告)号：CN114975135A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210744304.3

申请日：2022-06-28

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 方兆国 ,  陈中洲 ,  周少明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明属于半导体封装测试领域，具体涉及一种内置元器件的封装方法。将元器件表贴在基板上形成封装体内第一层电路，回流焊后，在所选芯片粘接区域点灌封胶，使灌封胶覆盖芯片粘接区域，根据情况确定是否需要在灌封胶顶部使用整平垫，根据芯片是否要与衬底导通选择导电整平垫或绝缘整平垫，若选择导电整平垫，则需要给整平垫上预留引线键合位置；使用烘箱或压力烘箱固化灌封胶后，在灌封胶顶部或整平垫上粘贴芯片，进行引线键合及后续生产工艺。对于使用引线键合作为内部互连方式的SIP产品，充分利用芯片粘接区域的基板空间来实现内置元器件的表贴，减少基板面积，提高产品的集成度。

公开(公告)号：CN113793809A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111044531.7

申请日：2021-09-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈中洲 ,  方兆国 ,  王子相

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/607 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种提高引线框架与塑封料结合力的方法，属于半导体集成电路封装测试领域。包括以下步骤：步骤一、通过电火花将陶瓷劈刀中的键合丝末端熔融成球体；步骤二、通过键合压力，将所得球体于引线框架载体表面镀银层或内引脚镀银层上压扁，使焊点成型；通过超声电流处理，在焊点上产生促进键合的超声功率，使焊点与引线框架载体表面镀银层或内引脚镀银层形成键合界面；步骤三、将球体与键合丝的连接处切断，在引线框架载体表面镀银层或内引脚镀银层上形成焊点。其中，重复步骤一至步骤三，在引线框架载体表面镀银层上形成焊点阵列。本发明有效，解决了现有加工和使用过程中，容易出现分层进而导致器件失效的问题。

公开(公告)号：CN113793809B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111044531.7

申请日：2021-09-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈中洲 ,  方兆国 ,  王子相

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/607 ,  H01L21/56

公开(公告)号：CN115763284A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211669327.9

申请日：2022-12-24

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈中洲 ,  方兆国 ,  达旭娟

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明公开了一种提升芯片单焊盘可通过电流的引线键合方法，首先对陶瓷劈刀的预留金线进行烧球处理，将金线熔融为金焊球；在芯片焊盘表面上将金焊球压扁，使其成型，同时施加超声电流，产生促进键合的超声功率，使金焊球与芯片焊盘表面形成键合界面；将金丝沿金焊球尾部切断，在芯片焊盘表面上形成金焊球；以内引脚或载体为一焊点、芯片焊盘表面的金焊球为二焊点进行引线键合，得到键合丝；以键合丝二焊点鱼尾表面为一焊点、内引脚或载体为二焊点进行引线键合。通过在单焊盘与内引脚或载体之间引线键合多根键合丝，增加芯片焊盘与内引脚或芯片焊盘与框架载体之间键合丝的数量，通过并联分流方式，提升芯片焊盘可通过的电流，实现内外的电气互联。

公开(公告)号：CN111923293A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010732992.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 方兆国 ,  陈中洲

IPC: B29C33/72 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种去除塑封模具中模盒型腔残留物的方法，包括如下步骤：步骤1，先将塑封模具中模盒型腔加热，使所述的残留物分解、软化和焦化，得到焦化后的残留物；步骤2，将焦化后的残留物进行清扫，完成塑封模具中模盒型腔残留物的去除。本发明不涉及退镀、电镀和腐蚀等化学试剂处理工艺，在资源节约与环境保护方面远优于传统模具返厂维修；相比于化学试剂处理工艺更加温和，没有化学试剂的腐蚀影响，对模具和镀层的影响较小，对操作员工的健康无任何影响；相比于机械打磨工艺，附着残留物由高温高压气体清理，没有机械磨损现象，对模具和镀层的影响较小。