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公开(公告)号：CN118464197A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410755463.2
申请日：2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明公开一种晶圆级红外热电堆传感器的响应灵敏度评价方法及系统，该评价方法首先获取晶圆级红外热电堆传感器在暗室条件下的第一输出电信号值以及在光激励条件下的第二输出电信号值，该方法在暗室下测试避免了环境光线的影响，通过第一输出电信号值与所述第二输出电信号值差值的绝对值评价所述晶圆级红外热电堆传感器的响应灵敏度有效避免了环境温度对测试结果的影响，该方法无需使用黑体，成本可控，该测试方法可杜绝环境中光与温度的干扰，测试重复性可达到0.5％以内。该方法简单易于操作，不同的技术人员遵循此方法均可以得到测试重复性较高的结果，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN114899222A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210699354.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种高压晶体管的终端结构及其制作方法，包括衬底；衬底上表面设置有外延层；外延层上光刻后进行离子注入形成基极区域；在基极区域上光刻后进行离子注入形成浓基区环；在基区上光刻后进行离子注入形成发射极区域；在基极区域和发射极区域淀积金属形成基极和发射极，在基极区域边缘设置金属场板形成场板结构；浓基区环和场板结构形成复合终端结构；衬底下表面设置有集电极。相对于常规晶体管结构，可以显著提高器件耐压及降低器件的反向漏电流。场板主要通过改变晶体管表面电势分布，使其曲面结的曲率半径增大，抑制表面电场的集中，从而提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119800318A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510004228.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可规模化量产硅基含铂金属的合金工艺技术方法，使用LPCVD设备，并非传统通用设备的工艺菜单调取与菜单工艺开发，由于LPCVD全称为低压化学气相淀积，主要用于淀积氧化物、氮化物、多晶硅等非金属种类的薄膜介质，非通用合金用途设备，本发明创新使用了非合金设备进行了合金技术工艺的开发，完成了针对硅基铂金属的合金工艺技术开发过程。
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公开(公告)号：CN118778350A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410861475.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于投影光刻的掩模版及其制备方法，属于投影光刻掩模版制备技术领域；先绘制产品版图、Frame及对版标记，并计算掩模版的y轴曝光偏移量；采用激光直写光刻机编写曝光程序，并对掩模版进行曝光；最后通过显影、腐蚀、去胶并清洗得到用于投影光刻的掩模版。本发明能够制备出用于Nilkon i线投影光刻机的光掩模版，可以应用于集成电路制造中光刻工序曝光工艺所使用的光掩模版，其首次曝光视场偏移量小于0.1μm，层间套刻误差小于0.2μm。本发明制备方法理论简单易于理解，成本低廉、过程简便，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116013993A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211731211.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，阴极金属上设置有SiC N+衬底，N‑外延层与SiC N+衬底之间设置有N型缓冲层，PWell内设置有P+，P+的两侧均连接有N+，N+、PWell和N‑外延层形成内嵌NPN结构，当单粒子辐照时且器件处于反向截止状态时，本结构首先利用N型缓冲层对单粒子入射径迹产生的电子空穴进行平衡和再分配，减少空穴向阳极金属的收集和电子向阴极金属的收集，并利用电子空穴对在PWell的等效电阻上产生的压降触发内嵌NPN的导通快速瞬时放电，拉低阳极和阴极电压，防止高压大电流导致器件烧毁，有效增强了器件抗单粒子辐照能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947136A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510111298.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种双金属肖特基二极管及其制备方法，属于功率器件设计技术领域，在不同温度下形成不同势垒高度的金属硅化物，再通过金属硅化物的组合形成不同的势垒高度，即形成具有不同漏电流和不同正向压降的肖特基二极管。本发明可以通过两种金属在不同工艺温度下的退火形成不同势垒高度的金属硅化物，避免了在采用合金靶材时为形成不同的硅化物需制备不同比例的合金靶材，通过不同的工艺过程节约了工艺设备，实现了归一化管理；该设计方法理论简单易于理解，不同的设计技术人员可以根据不同的产品进行调整，遵循此方法均可以得到满足产品要求的结果，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN119789474A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411771793.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及芯片制作工艺技术领域，公开了一种晶体管结构、频率特性的提升及制作方法，该结构包括晶体管本体；晶体管本体包括衬底外延层、集电极、发射极和基极；集电极设置在衬底外延层的底部；衬底外延层的顶部设有第一基区和第二基区；其中第二基区位于第一基区内，且第二基区内设有发射区；基极在衬底外延层的顶部设置在第一基区内；发射极设置在发射区内，本发明通过在第一基区内设置第二基区，减少晶体管在高频操作下的寄生效应，在不更改其它版层结构设计的基础上，在原结构上增加一张第二基区的光刻版设计显著提高晶体管的频率特性。
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公开(公告)号：CN119446905A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411560914.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , B08B1/14 , F26B5/14 , F26B21/14
Abstract: 本发明公开了一种固态B2O3掺杂源的表面处理方法，属于半导体工艺技术领域，使用硅片刮刻硼源表面不会对源片造成沾污，在用于扩散源时不会对掺杂的硅片造成影响，同时烘烤有利于表面水汽干燥，避免直接升至掺杂所需高温导致的形变与表面局部鼓泡脱落，有利于提高扩散掺杂均匀性，最终可以得到表面无非致密疏松层的硼扩散源表面，该工艺方法理论简单易于理解，不同的工艺技术人员可以根据不同的设备及工艺条件进行调整，遵循此方法均可以得到满足工艺要求的结果，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN116314143A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211736852.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的埋P+SiC JBS结构，包括阴极金属、阳极金属、SiC N+衬底、N型缓冲层、N‑外延层、P+埋层和JBS接触P+，所述SiC N+衬底的上方设置N型缓冲层和N‑外延层，所述N‑外延层的上方连接JBS接触P+，其中，所述JBS接触P+设置在阴极金属和N‑外延层之间，所述N‑外延层和SiC N+衬底之间设置N型缓冲层，所述SiC N+衬底的下方设置阴极金属，所述JBS接触P+的上方连接设置阳极金属，所述N‑外延层和JBS接触P+之间设置P+埋层。通过改进SiC JBS结构，保证原有SiC JBS结构正向压降低、反向漏电小的优点，同时，能够保证在单粒子辐照时，减少空穴向阳极金属的收集和电子向阴极金属的收集，并且防止漏电过大和烧毁。
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公开(公告)号：CN115954344A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211740510.3
申请日：2022-12-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构；碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，碳化硅N+衬底上为N型缓冲层和N‑外延层，N型缓冲层的浓度大于N‑外延层的浓度，N‑外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N‑外延层及P+的上表面为阳极金属。通过设置缓冲层，在单粒子辐照时，利用缓冲层对单粒子入射径迹产生的电子空穴进行平衡和再分配，减少空穴向阳极金属的收集和电子向阴极金属的收集，减少空穴在肖特基接触面的积累，并将P+结构设置为倒T型，利用倒T型P+的耗尽区有效夹断单粒子入射产生的电子‑空穴对径迹，抑制空穴在阳极金属和N‑外延层接触面的积累，防止漏电过大和烧毁。
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