Patent search ap:("西安微电子技术研究所") AND inv:"张志新" Page 1

1.

发明公开
一种提高二极管开关速度的方法无效

公开(公告)号：CN111613531A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010456314.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王健 , 鲁红玲 , 杨晓文 , 侯斌 , 张志新

IPC: H01L21/329 , H01L21/225 , H01L29/861 , H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种提高二极管开关速度的方法，属于微电子制作领域。本发明的提高二极管开关速度的方法，在硅片背面进行铂扩散，即在800～1100℃、惰性气体下退火30～120min，二极管的反向恢复时间在IF＝1.0A、VR＝30V时，可控制在20～80ns，在IF＝25A、VR＝160V时，可控制在25～100ns，本发明通过掺铂控制少子寿命，本发明的方法制造的硅基半导体分立器件具有开关速度快、漏电流小、可靠性高的特点。

Patent Agency Ranking