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公开(公告)号：CN104051314B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410091822.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/24246 , H01L2224/2518 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/07802 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片装置和制造芯片装置的方法。芯片装置可包括芯片载体和安装在芯片载体上的芯片。芯片可包括至少两个芯片接触部以及在芯片和芯片载体之间的将芯片粘附到芯片载体的绝缘粘合剂。该至少两个芯片接触部可电耦合到芯片载体。
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公开(公告)号：CN103824842B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310569053.0
申请日：2013-11-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L25/04 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及集成电路、半导体管芯布置以及用于制造集成电路的方法。提供一种集成电路，该集成电路包括：芯片，其具有第一芯片侧和与所述第一芯片侧相对的第二芯片侧，所述芯片在第二芯片侧上具有至少一个接触区域；至少部分覆盖所述芯片的灌封材料；以及至少一个接触通孔，其包括接触所述至少一个接触区域并且延伸通过所述灌封材料且通过所述第一芯片侧和第二芯片侧之间的芯片的导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103824842A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310569053.0
申请日：2013-11-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L25/04 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及集成电路、半导体管芯布置以及用于制造集成电路的方法。提供一种集成电路，该集成电路包括：芯片，其具有第一芯片侧和与所述第一芯片侧相对的第二芯片侧，所述芯片在第二芯片侧上具有至少一个接触区域；至少部分覆盖所述芯片的灌封材料；以及至少一个接触通孔，其包括接触所述至少一个接触区域并且延伸通过所述灌封材料且通过所述第一芯片侧和第二芯片侧之间的芯片的导电材料。
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公开(公告)号：CN109592633A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811167057.5
申请日：2018-10-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： I.埃舍尔-珀佩尔 , K.霍赛尼 , J.洛德迈尔 , J.马勒 , T.迈尔 , G.迈尔-贝格 , I.尼基廷 , R.普法尔 , E.里德尔 , K.施密特 , M.施内甘斯 , P.施瓦茨
Abstract: 公开了金属互连，制造金属互连的方法，半导体装置和制造半导体装置的方法。一种金属互连和包括该金属互连的半导体装置，其中制造半导体装置的方法可以包括：提供包括第一金属层的第一结构，第一金属层具有突出的第一微结构；提供包括第二金属层的第二结构，第二金属层具有突出的第二微结构；使第一微结构和第二微结构接触以在各结构之间形成机械连接，其中机械连接被配置为允许流体穿透；利用穿透机械连接并且与一种或多种非金属化合物反应的还原剂来去除在第一金属层和第二金属层上的一种或多种非金属化合物；以及在引起第一金属层和第二金属层相互扩散的温度下加热第一金属层和第二金属层，以在各结构之间形成金属互连。
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公开(公告)号：CN104347561B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410361760.5
申请日：2014-07-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
CPC classification number: H01L25/04 , H01L23/49861 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24246 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有无源器件的芯片封装。一种芯片封装器件包含导电芯片载体，至少一个附接到导电芯片载体的半导体芯片，和嵌入芯片载体、至少一个半导体芯片的绝缘层压结构，以及无源电子器件。该无源电子器件包含第一结构化的导电层，该第一结构化的导电层延伸到层压结构的表面上方。
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公开(公告)号：CN104347561A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410361760.5
申请日：2014-07-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
CPC classification number: H01L25/04 , H01L23/49861 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24246 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有无源器件的芯片封装。一种芯片封装器件包含导电芯片载体，至少一个附接到导电芯片载体的半导体芯片，和嵌入芯片载体、至少一个半导体芯片的绝缘层压结构，以及无源电子器件。该无源电子器件包含第一结构化的导电层，该第一结构化的导电层延伸到层压结构的表面上方。
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公开(公告)号：CN104051314A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410091822.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49562 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/24246 , H01L2224/2518 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/07802 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在各种实施例中，提供了芯片装置和制造芯片装置的方法。芯片装置可包括芯片载体和安装在芯片载体上的芯片。芯片可包括至少两个芯片接触部以及在芯片和芯片载体之间的将芯片粘附到芯片载体的绝缘粘合剂。该至少两个芯片接触部可电耦合到芯片载体。
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