公开(公告)号：CN109592633A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811167057.5

申请日：2018-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I.埃舍尔-珀佩尔 ,  K.霍赛尼 ,  J.洛德迈尔 ,  J.马勒 ,  T.迈尔 ,  G.迈尔-贝格 ,  I.尼基廷 ,  R.普法尔 ,  E.里德尔 ,  K.施密特 ,  M.施内甘斯 ,  P.施瓦茨

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 公开了金属互连，制造金属互连的方法，半导体装置和制造半导体装置的方法。一种金属互连和包括该金属互连的半导体装置，其中制造半导体装置的方法可以包括：提供包括第一金属层的第一结构，第一金属层具有突出的第一微结构；提供包括第二金属层的第二结构，第二金属层具有突出的第二微结构；使第一微结构和第二微结构接触以在各结构之间形成机械连接，其中机械连接被配置为允许流体穿透；利用穿透机械连接并且与一种或多种非金属化合物反应的还原剂来去除在第一金属层和第二金属层上的一种或多种非金属化合物；以及在引起第一金属层和第二金属层相互扩散的温度下加热第一金属层和第二金属层，以在各结构之间形成金属互连。